[發(fā)明專(zhuān)利]單晶In2Te3納米線(xiàn)及其制備以及準(zhǔn)一維In2Te3納米結(jié)構(gòu)的寬譜光探測(cè)器及其制備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310044301.X
• 申請(qǐng)日: 2013-02-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103966570A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何軍;王振興;穆罕默德·薩夫達(dá)爾
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 國(guó)家納米科學(xué)中心
• 主分類(lèi)號(hào): C23C16/30
• 分類(lèi)號(hào): C23C16/30;C30B25/02;C30B25/18;C30B29/46;C30B29/62;G01J1/42
• 代理公司: 北京潤(rùn)平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283
• 代理人: 王鳳桐;周建秋

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及單晶In₂Te₃納米線(xiàn)及其制備以及準(zhǔn)一維In₂Te₃納米結(jié)構(gòu)的寬譜光探測(cè)器及其制備。

背景技術(shù)

二元的III-VI化合物由于其獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì)在能源轉(zhuǎn)換、信息存儲(chǔ)、傳感等應(yīng)用領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用前景，近期被廣泛的研究。其中In₂Te₃是一種重要的半導(dǎo)體化合物，室溫下其禁帶寬度為1.19eV。對(duì)In₂Te₃的利用，當(dāng)前僅僅限制在薄膜形態(tài)。例如，CN101615654A公開(kāi)了一種基于In₂Te₃薄膜的記憶存儲(chǔ)元件。

納米材料由于其高比表面積及其相應(yīng)的高靈敏度，在光探測(cè)器領(lǐng)域具有重要的意義，引起了大量的科學(xué)工作者的關(guān)注。對(duì)In₂Te₃納米材料的合成制備，成為當(dāng)前一個(gè)具有挑戰(zhàn)性的難題。目前尚未發(fā)現(xiàn)制備單晶In₂Te₃納米線(xiàn)的有效方法。

紫外-可見(jiàn)-紅外寬譜光探測(cè)器無(wú)論是對(duì)科學(xué)研究還是工業(yè)應(yīng)用都具有重要的意義。當(dāng)前大部分商用的光探測(cè)器如GaN、Si及InGaAs等探測(cè)器局限在探測(cè)一定波段的光。它們對(duì)某些波段的光敏感性不高、工作壽命短等缺點(diǎn)導(dǎo)致它們的使用范圍大大受到限制，無(wú)法滿(mǎn)足例如航空航天、國(guó)防工業(yè)、大氣質(zhì)量檢測(cè)等方面應(yīng)用的需求。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種新的能夠有效制備單晶In₂Te₃納米線(xiàn)的制備方法及由該制備方法制備的單晶In₂Te₃納米線(xiàn)，并且提供一種準(zhǔn)一維In₂Te₃納米結(jié)構(gòu)的寬譜光探測(cè)器及其制造方法。

本發(fā)明提供一種單晶In₂Te₃納米線(xiàn)的制備方法，該方法包括：以表面具有金覆蓋層的硅片作為生長(zhǎng)基底，以In₂Te₃作為反應(yīng)源，在化學(xué)氣相沉積法的條件下，在所述生長(zhǎng)基底上制得單晶In₂Te₃納米線(xiàn)。

本發(fā)明提供由上述方法制得的單晶In₂Te₃納米線(xiàn)。

本發(fā)明還提供一種準(zhǔn)一維In₂Te₃納米結(jié)構(gòu)的寬譜光探測(cè)器，該光探測(cè)器包括：硅片基底，準(zhǔn)一維In₂Te₃納米結(jié)構(gòu)，2個(gè)Cr/Au電極，其中，所述準(zhǔn)一維In₂Te₃納米結(jié)構(gòu)位于硅片基底表面，所述2個(gè)Cr/Au電極分別至少壓在準(zhǔn)一維In₂Te₃納米結(jié)構(gòu)的兩端，其中，所述準(zhǔn)一維In₂Te₃納米結(jié)構(gòu)為單晶In₂Te₃納米線(xiàn)或多晶In₂Te₃納米結(jié)構(gòu)，其中，所述單晶In₂Te₃納米線(xiàn)由上述制備方法制得。

本發(fā)明還提供上述準(zhǔn)一維In₂Te₃納米結(jié)構(gòu)的寬譜光探測(cè)器的制備方法，該方法包括：（1）將準(zhǔn)一維In₂Te₃納米結(jié)構(gòu)分散在硅片基底表面；（2）將銅網(wǎng)掩膜貼于經(jīng)過(guò)步驟（1）的硅片基底表面，然后在所述銅網(wǎng)掩膜上蒸鍍Cr/Au電極；（3）將銅網(wǎng)掩膜除去，選取并分離相鄰2個(gè)Cr/Au電極分別至少壓在同一根準(zhǔn)一維In₂Te₃納米結(jié)構(gòu)的兩端的部分，即為準(zhǔn)一維In₂Te₃納米結(jié)構(gòu)的寬譜光探測(cè)器，其中，所述準(zhǔn)一維In₂Te₃納米結(jié)構(gòu)為單晶In₂Te₃納米線(xiàn)或多晶In₂Te₃納米結(jié)構(gòu)，其中，所述單晶In₂Te₃納米線(xiàn)由上述方法制備得到。