[發(fā)明專(zhuān)利]單晶In₂Te₃納米線及其制備以及準(zhǔn)一維In₂Te₃納米結(jié)構(gòu)的寬譜光探測(cè)器及其制備在審

申請(qǐng)?zhí)枺?/td>	201310044301.X	申請(qǐng)日：	2013-02-04
公開(kāi)（公告）號(hào)：	CN103966570A	公開(kāi)（公告）日：	2014-08-06
發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：	何軍;王振興;穆罕默德·薩夫達(dá)爾	申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人：	國(guó)家納米科學(xué)中心
主分類(lèi)號(hào)：	C23C16/30	分類(lèi)號(hào)：	C23C16/30;C30B25/02;C30B25/18;C30B29/46;C30B29/62;G01J1/42
代理公司：	北京潤(rùn)平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283	代理人：	王鳳桐;周建秋
地址：	100190 北***	國(guó)省代碼：	北京;11
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摘要：
搜索關(guān)鍵詞：	in sub te 納米及其制備以及準(zhǔn)一維結(jié)構(gòu) 寬譜光探測(cè)器
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【權(quán)利要求書(shū)】：

1.一種單晶In₂Te₃納米線的制備方法，其特征在于，該方法包括：以表面具有金覆蓋層的硅片作為生長(zhǎng)基底，以In₂Te₃作為反應(yīng)源，在化學(xué)氣相沉積法的條件下，在所述生長(zhǎng)基底上制得單晶In₂Te₃納米線。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其中，所述金覆蓋層的厚度為2-10nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其中，所述反應(yīng)源為99.999重量%的In₂Te₃粉末。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任意一項(xiàng)所述的制備方法，其中，所述化學(xué)氣相沉積法的條件包括：所述反應(yīng)源的溫度為700-800℃，所述生長(zhǎng)基底的溫度為550-650℃，相對(duì)于1cm×1cm的生長(zhǎng)基底，載氣總流量為10-25sccm，氣壓為100-250Pa，時(shí)間為60-90分鐘，其中，所述載氣為氬氣與氫氣以1:（0.5-2）體積比的混合氣體。

5.權(quán)利要求1-4中任意一項(xiàng)所述的制備方法制得的單晶In₂Te₃納米線，其中，所述單晶In₂Te₃納米線的直徑為50-300nm。

6.一種準(zhǔn)一維In₂Te₃納米結(jié)構(gòu)的寬譜光探測(cè)器，其特征在于，該光探測(cè)器包括：硅片基底，準(zhǔn)一維In₂Te₃納米結(jié)構(gòu)，2個(gè)Cr/Au電極，其中，所述準(zhǔn)一維In₂Te₃納米結(jié)構(gòu)位于硅片基底表面，所述2個(gè)Cr/Au電極分別至少壓在準(zhǔn)一維In₂Te₃納米結(jié)構(gòu)的兩端，

其中，所述準(zhǔn)一維In₂Te₃納米結(jié)構(gòu)為單晶In₂Te₃納米線或多晶In₂Te₃納米結(jié)構(gòu)，其中，所述單晶In₂Te₃納米線為由權(quán)利要求1-4中任意一項(xiàng)所述的制備方法制得或者為權(quán)利要求5所述的單晶In₂Te₃納米線。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的寬譜光探測(cè)器，其中，所述單晶In₂Te₃納米線直徑為50-300nm，所述多晶In₂Te₃納米結(jié)構(gòu)直徑為800-1200nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的寬譜光探測(cè)器，其中，所述Cr/Au電極沿著硅片基底厚度方向上按照遠(yuǎn)離硅片基底的方向依次為3-8nm厚的Cr層和80-120nm厚的Au層。

9.一種準(zhǔn)一維In₂Te₃納米結(jié)構(gòu)的寬譜光探測(cè)器的制備方法，其特征在于，該方法包括：

（1）將準(zhǔn)一維In₂Te₃納米結(jié)構(gòu)分散在硅片基底表面；

（2）將銅網(wǎng)掩膜貼于經(jīng)過(guò)步驟（1）的硅片基底表面，然后在所述銅網(wǎng)掩膜上蒸鍍Cr/Au電極；

（3）將銅網(wǎng)掩膜除去，選取并分離相鄰2個(gè)Cr/Au電極分別至少壓在同一根準(zhǔn)一維In₂Te₃納米結(jié)構(gòu)的兩端的部分，

其中，所述準(zhǔn)一維In₂Te₃納米結(jié)構(gòu)為單晶In₂Te₃納米線或多晶In₂Te₃納米結(jié)構(gòu)，

其中，所述單晶In₂Te₃納米線為由權(quán)利要求1-4中任意一項(xiàng)所述的方法制備得到或者為權(quán)利要求5所述的單晶In₂Te₃納米線。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其中，在步驟（1）中，所述準(zhǔn)一維In₂Te₃納米結(jié)構(gòu)的用量使得所述硅片基底上準(zhǔn)一維In₂Te₃納米結(jié)構(gòu)的密度為每平方毫米200-400根。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其中，在步驟（2）中，銅網(wǎng)掩膜的網(wǎng)格間距為15-20μm，蒸鍍Cr/Au電極的方法為先蒸鍍3-8nm厚的Cr層再蒸鍍80-120nm厚的Au層。

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