[發明專利]一種單晶石墨烯的制備方法

無效

• 申請號: 201310042925.8
• 申請日: 2013-02-04
• 公開（公告）號: CN103074678A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發明（設計）人: 林時勝;李曉強
• 申請（專利權）人: 杭州格藍豐納米科技有限公司
• 主分類號: C30B29/02
• 分類號: C30B29/02;C30B33/02;C30B33/10
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 韓介梅

1.一種單晶石墨烯的制備方法，其特征在于該方法包括如下步驟：

1）使用微機械力方法，將石墨用膠帶撕裂出單晶石墨烯黏貼到面積在1cm²以上的基板上，作為單晶石墨烯籽晶層；

2）在單晶石墨烯籽晶層上鍍一層厚度在20納米到10微米的金屬Ni、Cu或Cu-Ni合金層；

3）在金屬Ni、Cu或Cu-Ni合金層上覆蓋碳源，放入退火爐加熱至200-400℃，爐內壓力維持在1.01×10⁵Pa，在氬氣、氮氣、氦氣或氖氣氣氛下，退火100秒～1小時，冷卻至室溫，然后浸入FeCl₃溶液中，腐蝕去除金屬層和碳源，得到面積在1cm²以上的生長在基板上的單晶石墨烯。

2.根據權利要求1所述的單晶石墨烯的制備方法，其特征在于所述的基板為Si、Si/SiO₂復合層、玻璃片、石英、藍寶石或MgF₂。

3.根據權利要求1所述的單晶石墨烯的制備方法，其特征在于碳源為石墨、聚甲基丙烯酸甲脂或蔗糖。