[發明專利]讀出電路有效
| 申請號: | 201310041874.7 | 申請日: | 2013-02-01 |
| 公開(公告)號: | CN103117080B | 公開(公告)日: | 2017-08-08 |
| 發明(設計)人: | 楊光軍 | 申請(專利權)人: | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號: | G11C7/06 | 分類號: | G11C7/06 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人: | 鄭瑋 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 讀出 電路 | ||
1.一種讀出電路,用于將存儲單元的信息放大輸出,包括參考支路鏡像恒流源、參考存儲單元、譯碼控制電路、傳輸電路及輸出電路,其特征在于:該參考支路鏡像恒流源包括第一參考管、第二參考管及電壓隔離電路,該電壓隔離電路接于該第一參考管的柵極與漏極之間,用于將該第一參考管的柵漏隔開以在保證該第一參考管飽和導通的同時,提高該第一參考管漏極節點的電位;該第一參考管漏極接該參考存儲單元,該第二參考管漏極通過該傳輸電路、該譯碼控制電路接存儲單元,同時該第二參考管漏極還接至該輸出電路;該第一參考管與第二參考管的源極均連接于一電源電壓,柵極互連。
2.如權利要求1所述的一種讀出電路,其特征在于:該第一參考管與該第二參考管為PMOS管。
3.如權利要求2所述的一種讀出電路,其特征在于:該電壓隔離電路包括一PMOS管,該PMOS管源極接第一參考管的漏極,漏極接該第一參考管的柵極。
4.如權利要求3所述的一種讀出電路,其特征在于:該電壓隔離電路還包括第二恒流源及第三恒流源,該PMOS管源極接該第二恒流源的輸出,漏極接該第三恒流源的輸出端。
5.如權利要求4所述的一種讀出電路,其特征在于:該第二恒流源與該第三恒流源電流相等。
6.如權利要求4所述的一種讀出電路,其特征在于:該第二恒流源與該第三恒流源取值為2uA~10uA。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華虹宏力半導體制造有限公司,未經上海華虹宏力半導體制造有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310041874.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:低壓開關柜抽屜單元防滑落裝置
- 下一篇:戶外成套變電站殼體





