[發(fā)明專(zhuān)利]讀出電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310041874.7 | 申請(qǐng)日： | 2013-02-01 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103117080B | 公開(kāi)（公告）日： | 2017-08-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊光軍 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | G11C7/06 | 分類(lèi)號(hào)： | G11C7/06 |
| 代理公司： | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 讀出 電路 | ||
1.一種讀出電路，用于將存儲(chǔ)單元的信息放大輸出，包括參考支路鏡像恒流源、參考存儲(chǔ)單元、譯碼控制電路、傳輸電路及輸出電路，其特征在于：該參考支路鏡像恒流源包括第一參考管、第二參考管及電壓隔離電路，該電壓隔離電路接于該第一參考管的柵極與漏極之間，用于將該第一參考管的柵漏隔開(kāi)以在保證該第一參考管飽和導(dǎo)通的同時(shí)，提高該第一參考管漏極節(jié)點(diǎn)的電位；該第一參考管漏極接該參考存儲(chǔ)單元，該第二參考管漏極通過(guò)該傳輸電路、該譯碼控制電路接存儲(chǔ)單元，同時(shí)該第二參考管漏極還接至該輸出電路；該第一參考管與第二參考管的源極均連接于一電源電壓，柵極互連。
2.如權(quán)利要求1所述的一種讀出電路，其特征在于：該第一參考管與該第二參考管為PMOS管。
3.如權(quán)利要求2所述的一種讀出電路，其特征在于：該電壓隔離電路包括一PMOS管，該P(yáng)MOS管源極接第一參考管的漏極，漏極接該第一參考管的柵極。
4.如權(quán)利要求3所述的一種讀出電路，其特征在于：該電壓隔離電路還包括第二恒流源及第三恒流源，該P(yáng)MOS管源極接該第二恒流源的輸出，漏極接該第三恒流源的輸出端。
5.如權(quán)利要求4所述的一種讀出電路，其特征在于：該第二恒流源與該第三恒流源電流相等。
6.如權(quán)利要求4所述的一種讀出電路，其特征在于：該第二恒流源與該第三恒流源取值為2uA～10uA。
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