[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310041862.4
• 申請(qǐng)日: 2013-02-01
• 公開（公告）號(hào): CN103972176B
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 代洪剛;李俊;張學(xué)海;施平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11521
• 分類號(hào): H01L27/11521;H01L27/11526
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237
• 代理人: 屈蘅,李時(shí)云

1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，包括：

提供基底，所述基底包含第一器件區(qū)以及第二器件區(qū)，所述第一器件區(qū)至少具有一非易失存儲(chǔ)單元，所述非易失存儲(chǔ)單元的柵極周圍的所述第一器件區(qū)的表面具有因制備所述非易失存儲(chǔ)單元的氮墻而形成的第一氮化物層，所述第二器件區(qū)具有自下至上依次層疊的第二器件氧化物層和第二器件多晶硅層；

在所述基底上制備抗反射涂層；

選擇性刻蝕所述抗反射涂層和所述第二器件多晶硅層，以形成第二器件柵極；

同時(shí)去除剩余的所述抗反射涂層和所述第一氮化物層。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述非易失存儲(chǔ)單元為電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述非易失存儲(chǔ)單元包含一浮柵晶體管和一選擇晶體管，所述選擇晶體管的柵極為選擇柵，所述選擇柵與所述基底之間具有一第一高壓氧化層，所述浮柵晶體管的柵極包括浮柵以及控制柵，所述浮柵與所述基底之間具有一第二高壓氧化層，所述浮柵與所述控制柵之間通過一ONO介質(zhì)層相隔離，所述ONO介質(zhì)層位于所述控制柵和所述選擇柵周圍的所述第一器件區(qū)的表面以及所述選擇柵的表面，所述ONO介質(zhì)層包括自下至上依次層疊的第一氧化物膜、第二氮化物膜以及第三氧化物膜，所述第一氮化物層為所述控制柵和所述選擇柵周圍的所述第一器件區(qū)的表面以及所述選擇柵的表面的第二氮化物膜。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述第二高壓氧化層具有一隧穿窗口。

5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述浮柵和所述選擇柵的材料為摻雜多晶硅，所述控制柵的材料為非摻雜多晶硅。

6.如權(quán)利要求1-5中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述抗反射涂層為電介質(zhì)抗反射涂層。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述電介質(zhì)抗反射涂層的材料為氮化物。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，采用一步刻蝕法去除剩余的所述抗反射涂層和所述第一氮化物層。

9.如權(quán)利要求1-5中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述抗反射涂層的厚度為

10.如權(quán)利要求1-5中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，采用濕法刻蝕去除剩余的所述抗反射涂層和所述第一氮化物層。

11.如權(quán)利要求1-5中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述第二器件多晶硅層的材料為非摻雜多晶硅。