[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310040806.9
• 申請日: 2013-01-31
• 公開（公告）號: CN103094287A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張家祥;郭建
• 申請（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

隨著顯示器制造技術(shù)的發(fā)展，薄膜場效應(yīng)晶體管液晶顯示器（Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display，簡稱TFT-LCD）因其具有體積小、功耗低、分辨率高等特點，在當前的平板顯示器市場中占據(jù)了主導(dǎo)地位。

陣列基板是TFT-LCD的主要組成部件之一，現(xiàn)有技術(shù)中制備陣列基板的工藝過程一般包括：通過構(gòu)圖工藝依次在基板上形成包括柵極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、源漏電極層、非感光樹脂層、第一透明導(dǎo)電層、絕緣層和第二透明導(dǎo)電層層的圖案。

在制造陣列基板的過程中，若能減少所使用的光刻掩膜版的數(shù)量，可顯著減少陣列基板的制造成本，進而能減少TFT-LCD的制造成本。

同時，現(xiàn)有技術(shù)中一般是利用光刻膠作為掩膜對非感光樹脂層進行構(gòu)圖工藝，但光刻膠與非感光樹脂層之間的粘附性較差，在對非感光樹脂層進行構(gòu)圖工藝的過程中，光刻膠易從非感光樹脂層上脫落，導(dǎo)致非感光樹脂層的構(gòu)圖工藝的過程失敗，進而降低了陣列基板的良品率，同時增加了陣列基板的生產(chǎn)成本。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明目的是提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，可以降低顯示裝置的制造成本，同時提高生產(chǎn)良率。

為達到上述目的，本發(fā)明的陣列基板及其制備方法、顯示裝置采用如下技術(shù)方案：

本發(fā)明一方面提供了一種陣列基板，自下而上依次包括：基板、柵極層、柵極絕緣層、有源層、源漏電極層、保護層和非感光樹脂層，其特征在于，所述保護層和所述非感光樹脂層上具有過孔，所述過孔位于漏極上方；

在所述非感光樹脂層之上，所述陣列基板還包括：第一透明導(dǎo)電層，覆蓋除所述過孔區(qū)域外的所述非感光樹脂層；絕緣層，覆蓋所述第一透明導(dǎo)電層和所述過孔的內(nèi)側(cè)壁；第二透明導(dǎo)電層，位于所述絕緣層上，并通過所述過孔與所述源漏電極層的漏極相接觸。

所述保護層由硅的氧化物、硅的氮化物、鉿的氧化物、硅的氮氧化物、鋁的氧化物中的一種或兩種構(gòu)成。

本發(fā)明另一方面提供了一種陣列基板的制備方法，包括：

步驟1、在基板上通過構(gòu)圖工藝依次形成包括柵極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、源漏電極層、保護層和非感光樹脂層的圖案；

步驟2、在所述非感光樹脂層上沉積透明導(dǎo)電薄膜，并對所述透明導(dǎo)電薄膜進行構(gòu)圖工藝，形成第一透明導(dǎo)電層，所述第一透明導(dǎo)電層在在漏極上方具有過孔；

步驟3、以所述第一透明導(dǎo)電層為掩膜，依次對所述非感光樹脂層和所述保護層進行構(gòu)圖工藝，形成包括過孔的所述非感光樹脂層和所述保護層的圖案；

步驟4、在所述第一透明導(dǎo)電層上和所述過孔的內(nèi)側(cè)壁上形成絕緣層；

步驟5、在所述絕緣層上以及覆蓋有所述絕緣層的過孔的內(nèi)側(cè)壁及所述過孔的底部覆蓋上第二透明導(dǎo)電層，以使得所述第二透明導(dǎo)電層與所述源漏電極層的漏極相接觸。

所述構(gòu)圖工藝包括：對所述第一透明導(dǎo)電層進行濕法刻蝕，利用硫酸和醋酸的混合物，對所述第一透明導(dǎo)電層進行濕法刻蝕。

所述構(gòu)圖工藝包括：

利用第一比例的六氟化硫和氯氣，以所述第一透明導(dǎo)電層為掩膜，對所述非感光樹脂層進行干法蝕刻，使得所述非感光樹脂層具有第一過孔；

利用第二比例的六氟化硫和氯氣，以所述第一透明導(dǎo)電層為掩膜，對所述保護層進行干法刻蝕，使得所述保護層具有與所述第一過孔相通的第二過孔；

所述包括過孔的所述非感光樹脂層和所述保護層的圖案包括：

所述第一過孔和所述第二過孔相通，形成所述非感光樹脂層和所述保護層所具有的過孔。

六氟化硫和氯氣的所述第一比例為4：9或5：6，六氟化硫和氯氣的所述第二比例為7：9至1：1。

所述保護層由硅的氧化物、硅的氮化物、鉿的氧化物、硅的氮氧化物、鋁的氧化物中的一種或兩種構(gòu)成。

本發(fā)明的再一方面還提供了一種顯示裝置，包括如上任意一種陣列基板。

在本發(fā)明實施例的技術(shù)方案中，在制備陣列基板的過程中，當需要刻蝕非感光樹脂層時，以形成在所述非感光樹脂層上的第一透明導(dǎo)電層作為非感光樹脂層的掩膜，直接對非感光樹脂層進行干法刻蝕。無需在形成非感光樹脂層后利用光刻膠作為掩膜，對非感光樹脂層進行刻蝕，減少了制備陣列基板所需要的光刻掩膜版的數(shù)量，提高了陣列基板的良品率，進而減少陣列基板的制造成本，減少顯示裝置的制造成本。

附圖說明