[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201310040806.9
• 申請日: 2013-01-31
• 公開（公告）號: CN103094287A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 張家祥;郭建
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板，自下而上依次包括：基板、柵極層、柵極絕緣層、有源層、源漏電極層、保護層和非感光樹脂層，其特征在于，所述保護層和所述非感光樹脂層上具有過孔，所述過孔位于漏極上方；

在所述非感光樹脂層之上，所述陣列基板還包括：第一透明導電層，覆蓋除所述過孔區域外的所述非感光樹脂層；絕緣層，覆蓋所述第一透明導電層和所述過孔的內側壁；第二透明導電層，位于所述絕緣層上，并通過所述過孔與所述源漏電極層的漏極相接觸。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述保護層為硅的氧化物、硅的氮化物、鉿的氧化物、硅的氮氧化物、鋁的氧化物中的一種或兩種構成。

3.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

步驟1、在基板上通過構圖工藝依次形成包括柵極、柵極絕緣層、半導體層、源漏電極層、保護層和非感光樹脂層的圖案；

步驟2、在所述非感光樹脂層上沉積透明導電薄膜，并對所述透明導電薄膜進行構圖工藝，形成第一透明導電層的圖案，所述第一透明導電層在漏極上方具有過孔；

步驟3、以所述第一透明導電層為掩膜，依次對所述非感光樹脂層和所述保護層進行構圖工藝，形成包括過孔的所述非感光樹脂層和所述保護層的圖案；

步驟4、在所述第一透明導電層上和所述過孔的內側壁上形成絕緣層；

步驟5、在所述絕緣層上以及覆蓋有所述絕緣層的過孔的內側壁及所述過孔的底部覆蓋上第二透明導電層，以使得所述第二透明導電層與所述源漏電極層的漏極相接觸。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述步驟2中的構圖工藝包括：利用硫酸和醋酸的混合物，對所述第一透明導電層進行濕法刻蝕。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，

所述硫酸的濃度為9%，所述醋酸的濃度為5%。

6.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述步驟3中的構圖工藝包括：利用第一比例的六氟化硫和氯氣，以所述第一透明導電層為掩膜，對所述非感光樹脂層進行干法蝕刻，使得所述非感光樹脂層具有第一過孔；

利用第二比例的六氟化硫和氯氣，以所述第一透明導電層為掩膜，對所述保護層進行干法刻蝕，使得所述保護層具有與所述第一過孔相通的第二過孔；

所述包括過孔的所述非感光樹脂層和所述保護層的圖案包括：

所述第一過孔和所述第二過孔相通，形成所述非感光樹脂層和所述保護層所具有的過孔。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，六氟化硫和氯氣的所述第一比例為4：9或5：6，六氟化硫和氯氣的所述第二比例為7：9至1：1。

8.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述保護層為硅的氧化物、硅的氮化物、鉿的氧化物、硅的氮氧化物、鋁的氧化物中的一種或兩種構成。

9.一種顯示裝置，其特征在于，該顯示裝置包括權利要求1-2所述任一陣列基板。