[發(fā)明專利]一種抗低溫氧化的二硅化鉬基合金及其制備工藝

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310040771.9
• 申請日: 2013-02-02
• 公開（公告）號: CN103060654A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馮培忠;蘇健;王曉虹;孫智;牛繼南;強穎懷
• 申請（專利權(quán)）人: 中國礦業(yè)大學(xué)
• 主分類號: C22C29/18
• 分類號: C22C29/18;C23C8/12
• 代理公司: 北京華誼知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11207
• 代理人: 劉月娥

1.一種抗低溫氧化的二硅化鉬基合金，其特征在于：二硅化鉬基合金化學(xué)表達(dá)式為(Mo_1-xN_x)Si₂，其中X處于0～0.5的范圍之內(nèi)；

所述的(Mo_1-xN_x)Si₂中N為Nb、W、Ti、Cr中的一種元素；

所述的(Mo_1-xN_x)Si₂合金表面有一層抗低溫氧化性能的保護(hù)膜。

2.一種權(quán)利要求1所述抗低溫氧化的二硅化鉬基合金制備工藝，其特征在于，工藝步驟如下：?

a．將二硅化鉬基合金表面用800-2000號金相砂紙磨光；

所述的二硅化鉬基合金化學(xué)表達(dá)式為(Mo_1-xN_x)Si₂，其中X處于0～0.5的范圍之內(nèi)；所述的(Mo_1-xN_x)Si₂中N為Nb、W、Ti、Cr中的一種元素；

b．將磨光的二硅化鉬基合金在氧化性氣氛中于1000～1500℃高溫?zé)Y(jié)10～120分鐘，使材料表面自生形成一層致密的保護(hù)膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的工藝，其特征在于，所述的氧化性氣氛為空氣或氧氣。