日韩在线一区二区三区,日本午夜一区二区三区,国产伦精品一区二区三区四区视频,欧美日韩在线观看视频一区二区三区 ,一区二区视频在线,国产精品18久久久久久首页狼,日本天堂在线观看视频,综合av一区

[發明專利]一種線性摻雜的自旋場效應管無效

專利信息
申請號: 201310040690.9 申請日: 2013-02-03
公開(公告)號: CN103094327A 公開(公告)日: 2013-05-08
發明(設計)人: 王偉;王燕;張華鑫 申請(專利權)人: 南京郵電大學
主分類號: H01L29/66 分類號: H01L29/66;H01L29/10
代理公司: 江蘇愛信律師事務所 32241 代理人: 唐小紅
地址: 210003 *** 國省代碼: 江蘇;32
權利要求書: 查看更多 說明書: 查看更多
摘要:
搜索關鍵詞: 一種 線性 摻雜 自旋 場效應
【說明書】:

技術領域

發明涉及自旋場效應管領域,尤其是涉及線性摻雜結構的自旋場效應管。?

背景技術

除了電荷以外,電子的另外一個屬性是自旋。傳統的半導體器件只利用了電子的電荷特性而自旋特性被忽略。目前由于半導體器件的尺寸的發展將接近極限,而自旋電子學?(Spintronics)是在傳統半導體器件的基礎上進一步考慮自旋這一新的特性,利用電子自旋來控制電子。利用自旋電子學來研制新的電子器件,成為一個新興的學科。?

1990年,Datta和Das首次提出了自旋場效應晶體管,它是由鐵磁/半導體/鐵磁組成的類似三明治的結構。G.Schmidt研究出由于鐵磁和半導體的電導不匹配,使得自旋注入率不高。E.Rashba和A.Fert等人指出在鐵磁和半導體之間加一勢壘,如果勢壘足夠高的話,可提高自旋電子的注入率[3]。Bruno和Pareek用緊束縛近似的方法對自旋場效應晶體管進行了模擬計算,模擬了Rashba自旋-軌道耦合的二維電子氣中的自旋相干特性。Matsuyama等人對鐵磁/砷化銦/鐵磁器件中彈道自旋輸運和自旋干擾的模擬計算。除了上述的自旋場效應晶體管外,人們還提出了其他類型的自旋場效應晶體管。Ciuti等人在源極和漏極是非磁性的,柵極是由兩個串聯的鐵磁組成,而這兩個串聯的鐵磁的磁化方向的取向能夠引起磁阻效應。?

本文在Y.?Gao和T.?Low的基礎上[7]?,采用彈道輸運模型來研究自旋場效應晶體管(spin-FET)的電流特性,該模型采用二維非平衡格林函數(NEGF)和泊松(Poisson)方程對spin-FET參數進行自洽求解。利用這個模型,研究了spin-FET的輸運特性,并與LDD和線性摻雜的spin-FET輸運特性進行了對比。結合器件的工作原理,研究了器件在不同的Si溝道摻雜下的轉移特性曲線,對影響器件性能的參數進行了驗證。為spin-FET能夠投入到實際的應用提供了理論的模型。?

發明內容

技術問題:?本發明的目的是針對傳統納米器件因短溝道效應和其他一系列副效應而引起的器件性能下降問題,提供一種線性摻雜的自旋場效應管,使得器件抑制熱載流子效應的能力也增強。能夠獲得較高的磁電流比,這使得線性摻雜自旋場效應管在集成電路中的應用稱為可能。?

技術方案:本發明受硅基橫向溝道工程的啟發,將用于改善傳統MOSFET性能的摻雜結構引入自旋場效應管中,包括梯度摻雜結構?[周海亮,?池雅慶,?張民選.?基于梯度摻雜策略的碳納米管場效應管性能優化[J].?物理學報,?2010,?59(11):?8105-8111.]、輕漏摻雜結構?[OGURA?S,?TSANG?P?J,?WALKER?W?W,?et?al.?Design?and?characteristics?of?the?lightly?doped?drain-source?(LDD)?insulated?gate?field-effect?transistor[J].?IEEE?Trans?Electron?Devices,?1980,?15(4):?1359-1367.]和線性摻雜結構[張盛東,韓汝琦.漂移區為線性摻雜的高壓薄膜SOI器件的研制[J].電子學報,2001,29(2):1-3]。由于輕摻雜漏極結構可以有效地抑制器件的熱載流子效應,線性摻雜結構可以有效抑制短溝道效應(如閾值電壓漂移,漏致勢壘降低效應)。基于上述考慮,本發明提出了在溝道進行線性摻雜。由于目前自旋場效應管的仿真還處于起步階段,且目前很少有文獻涉及這類摻雜結構的自旋場效應管電學特性的研究。為揭示納米尺度該類器件的量子輸運特性,本發明在非平衡格林函數(NEGF)框架下,通過自洽求解泊松方程和薛定諤方程,對不同摻雜結構的自旋場效應管的電學特性進行了數值模擬,并給出了相應的性能比較。本發明對揭示自旋場效應管的輸運物理機制、改善自旋場效應管器件結構性能提供理論依據。?

本發明的線性摻雜的自旋場效應管是一種雙柵結構,其中用半導體材料硅作為導電溝道,溝道與兩個柵電極間用同種電介質材料填充,且兩個柵電極以溝道為中心形成對稱結構;該場效應管的源區和漏區為半金屬鐵磁,在硅溝道與源區和漏區之間有一層自旋隨機層和隧穿氧化層,且在硅溝道有一個線性摻雜結構,即在溝道中摻雜濃度隨著溝道長度而線性變化;?其中為溝道的摻雜濃度,為溝道的長度,為開始的溝道摻雜濃度,為摻雜線性變化的系數,溝道中摻雜的濃度隨著溝道長度的增加而增大。?

下載完整專利技術內容需要扣除積分,VIP會員可以免費下載。

該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于南京郵電大學,未經南京郵電大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服

本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310040690.9/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。

×

專利文獻下載

說明:

1、專利原文基于中國國家知識產權局專利說明書;

2、支持發明專利 、實用新型專利、外觀設計專利(升級中);

3、專利數據每周兩次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、內容包括專利技術的結構示意圖流程工藝圖技術構造圖

5、已全新升級為極速版,下載速度顯著提升!歡迎使用!

請您登陸后,進行下載,點擊【登陸】 【注冊】

關于我們 尋求報道 投稿須知 廣告合作 版權聲明 網站地圖 友情鏈接 企業標識 聯系我們

鉆瓜專利網在線咨詢

周一至周五 9:00-18:00

咨詢在線客服咨詢在線客服
tel code back_top
主站蜘蛛池模板: 久久噜噜少妇网站| 久久99久国产精品黄毛片入口| 狠狠躁日日躁狂躁夜夜躁| 日韩欧美一区二区在线视频| 国产午夜精品一区| 国产精品女同一区二区免费站| 91狠狠操| 在线国产精品一区| 美日韩一区| 中文av一区| 国产原创一区二区 | 91精品一区在线观看| 日韩一区免费在线观看| 国产精品不卡一区二区三区| 日本精品一二区| 久久夜色精品久久噜噜亚| 久久99久国产精品黄毛片入口 | 亚洲视频精品一区 | 国产精品一区二区6| 久久久久国产亚洲日本| 国产精品午夜一区二区三区视频| 91超碰caoporm国产香蕉| 国产男女乱淫真高清视频免费| 日韩av电影手机在线观看| 国产一二三区免费| 性精品18videosex欧美| 日韩欧美一区二区久久婷婷| 国产精品免费专区| 久久一区二区视频| 午夜色影院| 午夜精品影视| 日本一区二区三区在线看| 欧美777精品久久久久网| 狠狠色噜噜狠狠狠狠米奇7777| 久久精品国产精品亚洲红杏| 国产videosfree性另类| 97久久精品人人澡人人爽| 亚洲国产日韩综合久久精品| 国产午夜伦理片| 欧美激情精品久久久久久免费| 国产精品久久久久久久四虎电影| 日韩欧美多p乱免费视频| 99日韩精品视频| 综合国产一区| 猛男大粗猛爽h男人味| 久久精品—区二区三区| 一区二区三区国产欧美| 亚洲精品久久久久中文字幕欢迎你| 国产精品视频久久| 国产大学生呻吟对白精彩在线| 国产二区免费| 中文字幕一区二区三区又粗| 97人人澡人人爽91综合色| 欧美3p激情一区二区三区猛视频 | 欧美三区二区一区| 欧美精品第1页| 国产一区二区免费在线| 亚洲精品91久久久久久| 久久夜色精品亚洲噜噜国产mv| 国产精品亚洲二区| 香港三日本三级三级三级| 国产午夜伦理片| 免费看性生活片| 少妇厨房与子伦免费观看| 欧美一区二区在线不卡| 国产视频二区在线观看| 久久免费视频一区二区| 国产人澡人澡澡澡人碰视| 欧美精品一区久久| 久久亚洲精品国产日韩高潮| 国产理论一区| 国产精品69av| 97欧美精品| 欧美精品国产精品| 久久综合伊人77777麻豆最新章节 一区二区久久精品66国产精品 | 国产精品9区| 狠狠色很很在鲁视频| 中文字幕一区2区3区| 国产精品高潮呻吟88av| 亚洲精品国产综合| 少妇在线看www| 国产精品视频99|