[發明專利]一種線性摻雜的自旋場效應管

無效

• 申請號: 201310040690.9
• 申請日: 2013-02-03
• 公開（公告）號: CN103094327A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 王偉;王燕;張華鑫
• 申請（專利權）人: 南京郵電大學
• 主分類號: H01L29/66
• 分類號: H01L29/66;H01L29/10
• 代理公司: 江蘇愛信律師事務所 32241
• 代理人: 唐小紅

1.一種線性摻雜的自旋場效應管，其特征在于該場效應管是一種雙柵（6）結構，其中用半導體材料硅（4）作為導電溝道，溝道與兩個柵電極間用同種電介質材料填充，且兩個柵電極以溝道為中心形成對稱結構；該場效應管的源區（1）和漏區（5）為半金屬鐵磁，在硅（4）溝道與源區（1）和漏區（5）之間有一層自旋隨機層(2)和隧穿氧化層(3)，且在硅（4）溝道有一個線性摻雜結構，即在溝道中摻雜濃度隨著溝道長度而線性變化；????????????????????????????????????????????????其中為溝道的摻雜濃度，為溝道的長度，為開始的溝道摻雜濃度，為摻雜線性變化的系數，溝道中摻雜的濃度隨著溝道長度的增加而增大。

2.根據權利要求1所述的一種線性摻雜結構的自旋場效應管，其特征在于所述的雙柵（6）為關于器件溝道對稱的頂柵和底柵，其采用功函數為3.95的金屬作為柵極材料，該自旋場效應管溝道與兩柵電極間用柵電介質填充，以形成柵氧化層（7）。

3.根據權利要求1所述的一種線性摻雜結構的自旋場效應管，其特征在于所述的半導體材料硅（4）作為該場效應管的導電溝道，兩個柵電極平行且等長。