[發(fā)明專利]等離子體單元以及制造等離子體單元的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310040245.2
• 申請(qǐng)日: 2013-02-01
• 公開（公告）號(hào): CN103247502A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D.梅因霍爾德
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01J17/04
• 分類號(hào): H01J17/04;H01J11/22;H01J9/02
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 胡莉莉;劉春元

1.一種單元，其包括：

半導(dǎo)體材料；

開口，所述開口被部署在半導(dǎo)體材料中；

介電層，所述介電層給所述開口的表面加襯里；

覆蓋層，所述覆蓋層使所述開口閉合；

第一電極，所述第一電極鄰近所述開口地被部署；以及

第二電極，所述第二電極鄰近所述開口地被部署。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單元，其中，第一電極和第二電極被部署在開口的相對(duì)側(cè)上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單元，其中，第一電極和第二電極被部署在開口的相同側(cè)上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單元，進(jìn)一步包括被部署在開口中的惰性氣體。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單元，其中，開口包括水平溝槽或深溝槽。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單元，其中，開口包括U形溝槽。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單元，其中，開口的表面包括第一側(cè)壁、第二側(cè)壁和底面，并且其中第一電極被部署在第一側(cè)壁處，而第二電極被部署在第二側(cè)壁處。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單元，其中，開口的表面包括第一側(cè)壁、第二側(cè)壁和底面，并且其中第一電極被部署在覆蓋層上，而第二電極被部署在底面處。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的單元，其中，第二電極是埋層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單元，其中，開口包括具有第一側(cè)壁的第一溝槽和具有第二側(cè)壁的第二溝槽，其中第一溝槽被連接到第二溝槽，并且其中第一電極被部署在第一溝槽的頂面之上，而第二電極被部署在第二溝槽的第二頂面之上。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的單元，其中，隔離區(qū)被部署在第一溝槽與第二溝槽之間。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單元，進(jìn)一步包括集成電路。

13.一種面板，其包括：

半導(dǎo)體材料；以及

多個(gè)單元，其中每個(gè)單元都包括：

???????開口，所述開口被部署在半導(dǎo)體材料中；

???????介電層，所述介電層給開口的表面加襯里；

???????覆蓋層，所述覆蓋層密封所述開口；

???????第一電極，所述第一電極鄰近所述開口地被部署；以及

???????第二電極，所述第二電極鄰近所述開口地被部署。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的面板，其中，每個(gè)單元都進(jìn)一步包括被部署在開口中的惰性氣體。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的面板，其中，每個(gè)單元的第一電極和第二電極都被部署在開口的相對(duì)側(cè)上。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的面板，其中，每個(gè)單元的第一電極和第二電極都被部署在開口的相同側(cè)上。

17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的面板，進(jìn)一步包括集成電路。

18.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

在半導(dǎo)體材料中形成開口；

利用介電層給開口加襯里；

利用覆蓋層使開口閉合；

鄰近開口地形成第一電極；以及

鄰近開口地形成第二電極。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，利用覆蓋層使開口閉合包括：

利用犧牲材料填充開口；

在犧牲材料之上形成覆蓋層；

在覆蓋層中形成孔；以及

去除犧牲材料。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，利用覆蓋層使開口閉合進(jìn)一步包括在稀有氣體氣氛下通過CVD工藝或PVD工藝來使孔閉合。

21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，形成第一電極和/或形成第二電極包括對(duì)半導(dǎo)體材料進(jìn)行摻雜。

22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，形成第一電極和/或第二電極包括在覆蓋層上沉積多晶硅、摻雜的多晶硅或金屬。

23.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，進(jìn)一步包括緊挨著開口地形成隔離區(qū)。