[發明專利]靜態隨機存取存儲器單元電路在審

申請號：	201310039841.9	申請日：	2013-02-01
公開（公告）號：	CN103971730A	公開（公告）日：	2014-08-06
發明（設計）人：	朱紅衛;趙郁煒;劉國軍;唐敏	申請（專利權）人：	上海華虹宏力半導體制造有限公司
主分類號：	G11C11/413	分類號：	G11C11/413
代理公司：	上海浦一知識產權代理有限公司 31211	代理人：	丁紀鐵
地址：	201203 上海市浦東***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	靜態隨機存取存儲器單元電路
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【權利要求書】：

1.一種靜態隨機存取存儲器單元電路，其特征在于，包括：

由第一反相器和第二反相器組成的雙穩結構，所述第一反相器的輸入端連接所述第二反相器的輸出端、所述第二反相器的輸入端連接所述第一反相器的輸出端，所述第一反相器的輸出端和所述第二反相器的輸出端存儲一對反相的信號；所述第一反相器由第一PMOS管和第一NMOS管連接形成，所述第二反相器由第二PMOS管和第二NMOS管連接形成；

由第三PMOS管和第三NMOS管連接形成的第三反相器，所述第三反相器的輸入端連接所述第一反相器的輸出端；

由第四PMOS管和第四NMOS管連接形成的第四反相器，所述第四反相器的輸入端連接所述第二反相器的輸出端；

用作傳輸管的第五NMOS管和第六NMOS管，所述第五NMOS管的源極連接所述第三反相器的輸出端、所述第五NMOS管的漏極連接位線一，所述第六NMOS管的源極連接所述第四反相器的輸出端、所述第六NMOS管的漏極連接位線二，所述第五NMOS管的柵極和所述第六NMOS管的柵極都接字線。

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