[發明專利]半導體發光元件、半導體發光元件的制造方法和發光裝置

有效

• 申請號: 201310037581.1
• 申請日: 2013-01-31
• 公開（公告）號: CN103227259A
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發明（設計）人: 篠原裕直;平野健介
• 申請（專利權）人: 豐田合成株式會社
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 段承恩;楊光軍

1.一種半導體發光元件，是具備半導體層的半導體發光元件，所述半導體層包含通過通電而發光的發光層，所述半導體發光元件的特征在于，

所述半導體層具備：包含在第1方向上延伸的第1半導體側面和在與該第1方向交叉的第2方向上延伸的第2半導體側面的半導體側面；和由該半導體側面連接、且相互相對的半導體上表面和半導體底面，

在所述第1半導體側面，沿著所述第1方向交替地排列設置有多個第1凹部和第1凸部，所述第1凹部沿著從所述半導體底面朝向所述半導體上表面的第3方向延伸且向所述半導體層的內側凹陷，所述第1凸部沿著該第3方向延伸且與該第1凹部相比向該半導體層的外側突出，

在所述第2半導體側面，沿著所述第2方向交替地排列設置有多個第2凹部和第2凸部，所述第2凹部沿著所述第3方向延伸且向所述半導體層的內側凹陷，所述第2凸部沿著該第3方向延伸且與該第2凹部相比向該半導體層的外側突出，

由所述第1凹部和所述第1凸部在所述第1半導體側面形成的凹凸與由所述第2凹部和所述第2凸部在所述第2半導體側面形成的凹凸，形狀不同。

2.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，

所述半導體層具有：設置于所述半導體底面與所述發光層之間的第1半導體層；和包含該發光層且設置于該第1半導體層上的第2半導體層，

所述第1凸部和所述第1凹部被設置于所述第1半導體層，

所述第2凸部和所述第2凹部被設置于所述第1半導體層。

3.根據權利要求1或2所述的半導體發光元件，其特征在于，

所述第1半導體側面與所述半導體底面形成的角以及所述第2半導體側面與該半導體底面形成的角均大于90度。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體發光元件，其特征在于，

所述半導體層由III族氮化物半導體構成，并且層疊在由藍寶石單晶的C面構成上表面的基板的該上表面上，

所述第1方向沿著構成所述基板的藍寶石單晶的M面，

所述第2方向沿著構成所述基板的藍寶石單晶的A面。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體發光元件，其特征在于，

相鄰的所述第1凸部彼此的間隔與相鄰的所述第2凸部彼此的間隔相互不同。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的半導體發光元件，其特征在于，

所述第1半導體側面和/或所述第2半導體側面的、沿著與所述第3方向垂直的面的橫截面形狀，隨著從所述半導體底面側向所述半導體上表面側而變化。

7.根據權利要求4所述的半導體發光元件，其特征在于，

在所述基板的所述上表面形成有凹凸。

8.一種半導體發光元件的制造方法，包括：

第1激光照射工序，該工序通過對在基板上層疊有包含通過通電而發光的發光層的半導體層的半導體層疊基板，從層疊有該半導體層的一側沿著第1方向依次照射激光，從而沿著該第1方向排列地形成各自貫通該半導體層的多個第1開口部，并使得其與相鄰的第1開口部之間具有第1間隔；

第2激光照射工序，該工序通過對所述半導體層疊基板，從層疊有所述半導體層的一側，沿著與所述第1方向交叉且該半導體層的結晶取向與該第1方向不同的第2方向依次照射激光，從而沿著該第2方向排列地形成各自貫通該半導體層的多個第2開口部，并使得其與相鄰的第2開口部之間具有第2間隔；和

蝕刻工序，該工序對形成有多個所述第1開口部和多個所述第2開口部的所述半導體層疊基板中的所述半導體層實施濕式蝕刻。

9.根據權利要求8所述的半導體發光元件的制造方法，其特征在于，

在所述蝕刻工序中，對所述半導體層實施濕式蝕刻，使得相鄰的第1開口部彼此、以及相鄰的第2開口部彼此分別連接。

10.根據權利要求8或9所述的半導體發光元件的制造方法，其特征在于，

所述第1激光照射工序，對在以藍寶石單晶的C面為上表面的所述基板的該上表面上層疊有由III族氮化物半導體構成的所述半導體層的所述半導體層疊基板，在沿著構成該基板的藍寶石單晶的M面的所述第1方向上照射激光，

所述第2激光照射工序，對所述半導體層疊基板，在沿著構成所述基板的藍寶石單晶的A面的所述第2方向上照射激光。