[發(fā)明專利]連接疊層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層的中間連接件的形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310037472.X
• 申請(qǐng)日: 2013-01-31
• 公開（公告）號(hào): CN103972151A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳士弘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種方法，使用于一電子裝置，該電子裝置包括一疊層結(jié)構(gòu)，該疊層結(jié)構(gòu)包括多個(gè)導(dǎo)電層，該多個(gè)導(dǎo)電層與多個(gè)介電層交錯(cuò)排列，該方法用以形成多個(gè)中間連接件，該多個(gè)中間連接件延伸至對(duì)應(yīng)的該多個(gè)導(dǎo)電層的一部分，該方法包括：

移除于該疊層結(jié)構(gòu)中部分的該多個(gè)導(dǎo)電層及該多個(gè)介電層，以形成多個(gè)著陸區(qū)域，該多個(gè)著陸區(qū)域沒有迭加該疊層結(jié)構(gòu)的該多個(gè)導(dǎo)電層，其中W為該多個(gè)導(dǎo)電層的數(shù)量，移除的步驟包括：

使用一組M個(gè)刻蝕掩?？涛g該多個(gè)介電層/導(dǎo)電層的該疊層結(jié)構(gòu)，以暴露該多個(gè)著陸區(qū)域于W-1個(gè)導(dǎo)電層，該多個(gè)刻蝕掩模具有多個(gè)掩模區(qū)域及間隔的多個(gè)開口刻蝕區(qū)域，M大于或等于2，N^M少于或等于W，N為大于或等于3的整數(shù)；

在該組刻蝕掩模中的各該刻蝕掩模m，其中m從0到M-1：

(a)形成該刻蝕掩模m位于一接觸區(qū)域之上，該刻蝕掩模具有該多個(gè)開口刻蝕區(qū)域，該多個(gè)開口刻蝕區(qū)域位于部份該多個(gè)著陸區(qū)域之上；

(b)于該刻蝕掩模m的該多個(gè)開口刻蝕區(qū)域中刻蝕N^m個(gè)導(dǎo)電層；

(c)削減該刻蝕掩模m，以增加該多個(gè)開口刻蝕區(qū)域的尺寸，該多個(gè)開口刻蝕區(qū)域迭加多個(gè)額外的接觸開口；

(d)于已增加尺寸的該多個(gè)開口刻蝕區(qū)域，刻蝕N^m個(gè)該多個(gè)導(dǎo)電層；以及

(g)若N大于3，重復(fù)N-3次削減步驟(c)及刻蝕步驟(d)；

藉此，以不同刻蝕掩模的組合暴露出該多個(gè)導(dǎo)電層上的該多個(gè)著陸區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，更包括：

設(shè)置一介質(zhì)填充物于該多個(gè)著陸區(qū)域之上；

向下形成該多個(gè)接觸開口至該多個(gè)著陸區(qū)域，該多個(gè)接觸開口貫穿該介質(zhì)填充物；以及

以一導(dǎo)電材料填充該多個(gè)接觸開口，以形成該多個(gè)中間連接件。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，更包括選擇N，N等于2加上各個(gè)刻蝕掩模的削減刻蝕掩模的步驟的次數(shù)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中各該刻蝕掩模0具有一0掩模寬度，該0掩模寬度具有一開口刻蝕區(qū)域，該開口刻蝕區(qū)域具有一開口區(qū)域?qū)挾?，該開口區(qū)域?qū)挾鹊扔谠?掩模寬度除以N。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中各該刻蝕掩模具有一掩模寬度，該掩模寬度具有一開口刻蝕區(qū)域，該開口刻蝕區(qū)域具有一開口區(qū)域?qū)挾龋撻_口區(qū)域?qū)挾鹊扔谠撗谀挾瘸訬。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中于形成該刻蝕掩模的步驟(a)中，該刻蝕掩模覆蓋N^m+1個(gè)該多個(gè)著陸區(qū)域，且該開口刻蝕區(qū)域覆蓋N^m個(gè)該多個(gè)著陸區(qū)域。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中于形成該刻蝕掩模的步驟(a)中，該開口刻蝕區(qū)域在N^m個(gè)該多個(gè)著陸區(qū)域之上。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中W＝27且N＝3以至于：

m＝1時(shí)；

刻蝕的步驟(b)是刻蝕1層導(dǎo)電層；及

刻蝕的步驟(d)是刻蝕1層導(dǎo)電層；

m＝2時(shí)：

刻蝕的步驟(b)是刻蝕3層導(dǎo)電層；及

刻蝕的步驟(d)是刻蝕3層導(dǎo)電層；

m＝3時(shí)：

刻蝕的步驟(b)是刻蝕9層導(dǎo)電層；及

刻蝕的步驟(d)是刻蝕9層導(dǎo)電層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中削減的步驟使得已增大尺寸的開口刻蝕區(qū)域覆蓋額外1/N個(gè)該多個(gè)著陸區(qū)域。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該裝置包括該疊層結(jié)構(gòu)的一表面，且該方法更包括在移除的步驟的執(zhí)行過程中，遮蔽該表面的一部份，以產(chǎn)生沒有接觸開口的多個(gè)虛擬區(qū)域。