[發(fā)明專利]濺射設(shè)備以及使用該濺射設(shè)備沉積薄膜的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310037246.1 | 申請(qǐng)日: | 2013-01-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103388124A | 公開(公告)日: | 2013-11-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄭胤謨;鄭貞永;樸鐘力;徐晉旭 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/34 | 分類號(hào): | C23C14/34 |
| 代理公司: | 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 張紅霞;周艷玲 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 濺射 設(shè)備 以及 使用 沉積 薄膜 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
示例性實(shí)施例涉及濺射設(shè)備和使用該濺射設(shè)備的薄膜沉積方法。更具體而言,示例性實(shí)施例涉及具有不使用磁體的二極管濺射沉積源的濺射設(shè)備,并涉及使用該濺射設(shè)備的薄膜沉積方法。?
背景技術(shù)
常規(guī)濺射設(shè)備的沉積源通過在靶的下部設(shè)置磁性物質(zhì)來控制磁場。磁性物質(zhì)增加靠近靶表面的位置中的電荷密度來增加沉積效率,并且通過增加沉積到靶的粒子的能量來改進(jìn)品質(zhì)。然而,使用常規(guī)濺射設(shè)備的方法不適合用于雙層沉積、單層沉積,或者以小于的沉積速率摻雜材料。?
在該背景技術(shù)部分中公開的上述信息僅用于增強(qiáng)對(duì)本發(fā)明背景技術(shù)的理解,因此其可能包含不構(gòu)成在本國家對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員為已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。?
發(fā)明內(nèi)容
示例實(shí)施例致力于提供一種能有效地形成品質(zhì)優(yōu)良的薄膜的濺射設(shè)備。?
根據(jù)示例性實(shí)施例,濺射設(shè)備可包括:陰極部分,所述陰極部分包括聯(lián)接到陰極主體的前表面的靶支撐部分,靶被安裝在所述陰極主體的所述前表面上并由所述靶支撐部分支撐;陽極部分,所述陽極部分包括聯(lián)接到陽極主體的陽極,所述陽極主體圍繞所述陰極部分的側(cè)部和底部,并且所述陽極覆蓋所述靶支撐部分和所述靶的邊緣;內(nèi)絕緣體,所述內(nèi)絕緣體位于所述陰極部分與所述陽極主體之間;電極絕緣體,所述電極絕緣體位于所述陽極與所述靶支撐部分和所述靶的所述邊緣中的每一個(gè)之間;以及電源部分,所述電源部分連接到所述陰極部分和所述陽極部分。?
所述電極絕緣體的端部可比所述陽極的端部朝向所述靶的中心伸出得多。?
所述電極絕緣體的伸出長度可為大約1mm至大約3mm。?
所述電極絕緣體的伸出端部可包括朝向所述靶的所述中心形成的電連接防止槽。?
所述電極絕緣體的所述伸出端部可具有近似“C”的形狀。?
所述電極絕緣體可具有大約1mm至大約5mm的厚度。?
所述陽極可包括遠(yuǎn)離所述靶彎曲的電極延伸部分。?
所述電極絕緣體可將所述靶與所述陽極完全分離。?
所述陽極可僅與所述電極絕緣體的上表面的第一部分重疊,所述電極絕緣體的所述上表面的第二部分與所述第一部分不同并被暴露。?
從所述陽極主體上的相同參考點(diǎn)測量的所述電極絕緣體的長度可比所述陽極的長度長。?
根據(jù)另一示例性實(shí)施例,薄膜沉積方法可包括:將靶安裝在陰極部分上,使得所述靶位于所述陰極部分的陰極主體的前表面上,并且所述靶由聯(lián)接到所述陰極主體的所述前表面的靶支撐部分支撐;將陽極部分布置在所述陰極部分上,使得陽極主體圍繞所述陰極部分的側(cè)部和底部,所述陽極部分的陽極覆蓋所述靶支撐部分和所述靶的邊緣,并且電極絕緣體被定位在所述陽極與所述靶支撐部分和所述靶的所述邊緣中的每一個(gè)之間;以及通過電源部分向所述陰極部分和所述陽極部分施加電壓而將沉積材料沉積到所述靶的暴露的中心部分。?
沉積所述沉積材料可包括沉積處于等離子體狀態(tài)的材料。?
附圖說明
圖1為根據(jù)第一示例性實(shí)施例的濺射設(shè)備的剖視圖。?
圖2為根據(jù)第二示例性實(shí)施例的濺射設(shè)備的剖視圖。?
圖3為圖2的電極絕緣體的放大的剖視圖。?
圖4為根據(jù)第三示例性實(shí)施例的濺射設(shè)備的剖視圖。?
具體實(shí)施方式
在下面的詳細(xì)描述中,通過例示的方式顯示并描述某些示例性實(shí)施例。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將要認(rèn)識(shí)到,所描述的實(shí)施例可以各種不同的方式被修改,而全部不背離本發(fā)明構(gòu)思的精神或范圍。?
應(yīng)該注意,附圖為示意性的并且沒有圖示精確的尺寸。在附圖中,為了清楚和方便,附圖中元件的相對(duì)比例和比率在尺寸上可被夸大或縮小,并且這種任意比例僅為例示性的,而非以任何方式限制。相似的附圖標(biāo)記用于在兩幅或更多附圖中顯示的相似結(jié)構(gòu)、元件或部分,以顯示類似的特征。當(dāng)一個(gè)部分被認(rèn)為在另一部分“上方”或“之上”時(shí),該一個(gè)部分可直接在另一部分的上方,或者可伴隨有介于它們之間的另外的部分。?
在下文中,將參照?qǐng)D1描述根據(jù)第一示例性實(shí)施例的濺射設(shè)備101。?
如圖1所示,根據(jù)第一示例性實(shí)施例的濺射設(shè)備101包括陰極部分400、陽極部分300、內(nèi)絕緣體510、電極絕緣體700和電源部分。?
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
- 簽名設(shè)備、檢驗(yàn)設(shè)備、驗(yàn)證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
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