[發明專利]濺射設備以及使用該濺射設備沉積薄膜的方法

在審

• 申請號: 201310037246.1
• 申請日: 2013-01-30
• 公開（公告）號: CN103388124A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 鄭胤謨;鄭貞永;樸鐘力;徐晉旭
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 張紅霞;周艷玲

1.一種濺射設備，包括：

陰極部分，所述陰極部分包括聯接到陰極主體的前表面的靶支撐部分，靶被安裝在所述陰極主體的所述前表面上并由所述靶支撐部分支撐；

陽極部分，所述陽極部分包括聯接到陽極主體的陽極，所述陽極主體圍繞所述陰極部分的側部和底部，并且所述陽極覆蓋所述靶支撐部分和所述靶的邊緣；

內絕緣體，所述內絕緣體位于所述陰極部分與所述陽極主體之間；

電極絕緣體，所述電極絕緣體位于所述陽極與所述靶支撐部分和所述靶的所述邊緣中的每一個之間；以及

電源部分，所述電源部分連接到所述陰極部分和所述陽極部分。

2.如權利要求1所述的濺射設備，其中所述電極絕緣體的端部比所述陽極的端部朝向所述靶的中心伸出得多。

3.如權利要求2所述的濺射設備，其中所述電極絕緣體的伸出長度為1mm至3mm。

4.如權利要求2所述的濺射設備，其中所述電極絕緣體的伸出端部包括朝向所述靶的所述中心形成的電連接防止槽。

5.如權利要求4所述的濺射設備，其中所述電極絕緣體的所述伸出端部具有近似“C”的形狀。

6.如權利要求1所述的濺射設備，其中所述電極絕緣體具有1mm至5mm的厚度。

7.如權利要求1所述的濺射設備，其中所述陽極包括遠離所述靶彎曲的電極延伸部分。

8.如權利要求1所述的濺射設備，其中所述電極絕緣體將所述靶與所述陽極完全分離。

9.如權利要求1所述的濺射設備，其中所述陽極僅與所述電極絕緣體的上表面的第一部分重疊，所述電極絕緣體的所述上表面的第二部分與所述第一部分不同并被暴露。

10.如權利要求1所述的濺射設備，其中從所述陽極主體上的相同參考點測量的所述電極絕緣體的長度比所述陽極的長度長。

11.一種使用在陰極部分和陽極部分的陽極主體之間具有內絕緣體的濺射設備的薄膜沉積方法，所述方法包括：

將靶安裝在所述陰極部分上，使得所述靶位于所述陰極部分的陰極主體的前表面上，并且所述靶由聯接到所述陰極主體的所述前表面的靶支撐部分支撐；

將所述陽極部分布置在所述陰極部分上，使得所述陽極主體圍繞所述陰極部分的側部和底部，所述陽極部分的陽極覆蓋所述靶支撐部分和所述靶的邊緣，并且電極絕緣體被定位在所述陽極與所述靶支撐部分和所述靶的所述邊緣中的每一個之間；以及

通過電源部分向所述陰極部分和所述陽極部分施加電壓而將沉積材料沉積到所述靶的暴露的中心部分。

12.如權利要求11所述的薄膜沉積方法，其中沉積所述沉積材料包括沉積處于等離子體狀態的材料。