[發明專利]用于沉積含過渡金屬的膜的雜配型環戊二烯基過渡金屬前體有效

申請號：	201310036418.3	申請日：	2009-07-24
公開（公告）號：	CN103145766A	公開（公告）日：	2013-06-12
發明（設計）人：	C·迪薩拉;C·蘭斯洛特-馬特拉斯	申請（專利權）人：	喬治洛德方法研究和開發液化空氣有限公司
主分類號：	C07F17/00	分類號：	C07F17/00;C07F17/02
代理公司：	北京市中咨律師事務所 11247	代理人：	林柏楠;劉金輝
地址：	法國***	國省代碼：	法國;FR
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摘要：
搜索關鍵詞：	用于沉積過渡金屬雜配型環戊二烯基
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【說明書】：

本申請是中國專利申請200980128339.7的分案申請，該中國專利申請的申請日為2009年7月24日，發明名稱是“用于沉積含過渡金屬的膜的雜配型環戊二烯基過渡金屬前體”。

發明領域

一般而言，本發明涉及用于制造半導體裝置、光伏打裝置、LCF-TFT裝置或平板型裝置的組合物、方法及設備。

現有技術

在制造晶體管期間，可使用硅化物層改良多晶硅的導電性。舉例而言，硅化鎳（NiSi）可用作晶體管的源極與漏極中的接點以改良導電性。形成金屬硅化物的方法是以過渡金屬（例如鎳）薄層沉積于多晶硅上開始。隨后將金屬與一部分多晶硅熔合于一起來形成金屬硅化物層。

化學氣相沉積（CVD）及原子層沉積（ALD）是用于控制原子級沉積且形成極薄涂層的主要氣相化學方法。在典型CVD方法中，使晶片暴露于一或多種揮發性前體，其在基板表面上反應和/或分解以產生所需沉積物。ALD方法以交替涂覆的金屬前體的依序且飽和的表面反應為基礎，在諸反應之間進行惰性氣體凈化。

為在晶片上得到高純度、薄且高效能的固體材料，需要具有高純度、高熱穩定性及高揮發性的金屬前體。此外，其應迅速且以可重現的速率汽化，此為液體前體比固體前體更易于達成的條件。

一些脒基過渡金屬前體現正且業已成功用于通過ALD進行沉積。雖然具有揮發性，但那些前體通常為具有高熔點（>70℃）的固體且有時可因熱不穩定性而受損（例如鎳），此對于ALD方法而言為一缺點。另一方面，據知雙環戊二烯基前體為液體或低熔點固體，且視環戊二烯基上的取代而定仍具有揮發性。舉例而言，Ni(Me-Cp)₂：固體，熔點=34-36℃；Ni(Et-Cp)₂：液體；Ni(iPr-Cp)₂：液體。然而，以鎳為例，雙環戊二烯基前體仍因熱不穩定性而受損。

發明內容

本發明的具體方案提供適用于使膜沉積于基板上的新穎方法及組合物。一般而言，所揭示的組合物及方法利用雜配型（heteroleptic）金屬前體。

在一具體方案中，一種用于使膜沉積于基板上的方法包含提供反應器，該反應器中安置有至少一個基板。將含金屬的前體引入反應器中，其中該前體具有以下通式：

M(R₁-N-C(R₂)=N-R₃)n(R₄R₅R₆R₇R₈Cp)_mL_k；

其中M為選自以下元素的金屬：Mn、Fe、Ni、Co、Pd、Pt、Ag、Au、Ru、Os、Rh、Ir及Re。(R₁-N-C(R₂)=N-R₃)為脒或胍配體，且(R₄R₅R₆R₇R₈Cp)為經取代或未經取代的環戊二烯基配體。各R₁、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇及R₈是獨立地選自H、C₁-C₅烷基及Si(R')₃，其中R'是獨立地選自H及C₁-C₅烷基。R₂是獨立地選自H、C₁-C₅烷基及NR'R″，其中R'及R″是獨立地選自C₁-C₅烷基。L為中性配體（例如THF、乙醚、三甘醇二甲醚、四甘醇二甲醚等）。變數m為1、2、3或4之一；變數n為1、2、3或4之一；且變數k為0、1、2、3、4或5之一。將反應器維持于至少約100℃的溫度下；且使前體與基板接觸以在基板上沉積或形成含金屬的膜。