[發明專利]用于沉積含過渡金屬的膜的雜配型環戊二烯基過渡金屬前體

有效

• 申請號: 201310036418.3
• 申請日: 2009-07-24
• 公開（公告）號: CN103145766A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: C·迪薩拉;C·蘭斯洛特-馬特拉斯
• 申請（專利權）人: 喬治洛德方法研究和開發液化空氣有限公司
• 主分類號: C07F17/00
• 分類號: C07F17/00;C07F17/02
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 林柏楠;劉金輝

1.一種合成雜配型環戊二烯基過渡金屬前體的方法，其包含進行至少一個反應以形成含金屬的前體，其中含金屬的前體包含具有以下通式的前體：

M(R₁-N-C(R₂)=N-R₃)_n(R₄R₅R₆R₇R₈Cp)_mL_k（I）

其中：

-M為至少一個選自由以下組成的組的成員：Mn、Fe、Ni、Co、Cu、Pd、Pt、Ag、Au、Ru、Os、Rh、Ir及Re；

-(R₁-N-C(R₂)=N-R₃)為脒或胍配體；

-(R₄R₅R₆R₇R₈Cp)為經取代或未經取代的環戊二烯基配體；

-R₁、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇及R₈是獨立地選自H、C₁-C₅烷基及Si(R')₃，其中R'是獨立地選自H及C₁-C₅烷基；

-R₂是獨立地選自H、C₁-C₅烷基及NR'R''，其中R'及R″是獨立地選自C₁-C₅烷基；

-L為中性配體；

-1≤m≤4；

-1≤n≤4；和

-0≤k≤5，

其中該前體是根據選自以下的合成反應形成的：

a)

路線-1

其中：

-X是獨立地選自Cl、Br及I；

-N是獨立地選自Li、Na及K；

-L及Q為中性配體；

-0≤j≤5；和

-0≤p≤5;

b)

路線2-1

其中：

-N是獨立地選自H、Li、Na及K；

c)

路線2-2

其中：

-N是獨立地選自H、Li、Na及K；

d)

路線3-1

其中：

-X是獨立地選自Cl、Br及I；

-N是獨立地選自Li、Na及K；

-L及Q為中性配體；

-0≤j≤5；和

-0≤p≤5；和

e)

路線-3-2

其中：

-X是獨立地選自Cl、Br及I；

-N是獨立地選自Li、Na及K；

-L及Q為中性配體；

-0≤j≤5；和

-0≤p≤5。