[發明專利]光學高溫計和使用該光學高溫計處理半導體的設備

在審

• 申請號: 201310035480.0
• 申請日: 2013-01-30
• 公開（公告）號: CN103226043A
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發明（設計）人: 許寅會;申東明;洪鐘波;金秋浩;池元秀;金俊佑
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G01J5/02
• 分類號: G01J5/02;G01J5/04;H01L21/67
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;王占杰

本申請要求于2012年1月30日在韓國知識產權局提交的第10-2012-0009205號韓國專利申請的權益，該申請的公開通過引用全部包含于此。

技術領域

本公開涉及一種光學高溫計和一種使用該光學高溫計處理半導體的設備，更具體地講，涉及一種改進了接收部的結構的光學高溫計和一種使用該光學高溫計處理半導體的設備。

背景技術

在半導體處理設備中，對半導體的處理通常需要熱處理。例如，在化學氣相沉積設備中，有機化合物的外延生長是熱化學反應。在熱處理中，機械地準確測量并控制溫度對于品質和可靠的膜形成是必需的。

在半導體處理設備中，用于測量來自熱源(例如，被加熱的晶片或被加熱的晶片支持物)照射的光的溫度的光學高溫計用作用于測量溫度的設備。

發明內容

提供了一種光學高溫計和一種使用該光學高溫計處理半導體的設備，該光學高溫計具有減少接收部的污染的結構。

其他方面將在下面的描述中部分地進行闡述，并且部分地通過該描述將是清楚的，或者可以通過給出的示例性實施例的實施而明了。

根據本公開的一方面，光學高溫計包括：接收部，具有用于接收加熱單元的光輻射的接收端；和殼部，覆蓋除接收部的接收端以外的接收部，其中，接收部的接收端的與接收部的接收端的縱向垂直的截面的面積朝接收部的接收端的端部減小。

接收部的接收端可以具有半球形形狀、錐形形狀、圓錐形形狀、截圓錐形形狀、多棱錐形形狀和截多棱錐形形狀中的任意一種。

光學高溫計還可以包括用于將凈化氣體注入接收部和殼部之間的凈化氣體注入部。

通過凈化氣體注入部注入的凈化氣體的流率可以設置成使得在接收部的接收端處產生的渦流為最大的值。

接收部可以包括用于傳輸光的導光管。

接收部可以由透明材料形成。

殼部的端部可以相對于接收部的接收端的端部突出。

接收部的接收端可以布置成鄰近加熱單元。

根據本公開的另一方面，半導體處理設備包括：室，用于容納基底，所述基底用來處理半導體；加熱單元，用于加熱室的內部；和高溫計，用于檢測室的內部的溫度，所述高溫計包括接收部和殼部，接收部具有接收端，接收端用于接收加熱單元的光輻射，殼部覆蓋除接收部的接收端以外的接收部，其中，接收部的接收端的與接收部的接收端的縱向垂直的截面的面積朝接收部的接收端的端部減小。

接收部的接收端可以具有半球形形狀、錐形形狀、圓錐形形狀、截圓錐形形狀、多棱錐形形狀和截多棱錐形形狀中的任意一種。

半導體處理設備還可以包括用于將凈化氣體注入接收部和殼部之間的凈化氣體注入部。

通過凈化氣體注入部注入的凈化氣體的流率可以設置成使得在接收部的接收端處產生的渦流為最大的值。

接收部可以包括用于傳輸光的導光管。

接收部可以由透明材料形成。

殼部的端部可以相對于接收部的接收端的端部突出。

接收部的接收端可以布置成鄰近加熱單元。

半導體處理設備可以是有機化學沉積設備。

半導體處理設備還可以包括被加熱單元加熱并用于支持室中的基底的支持物，其中，接收部的接收端布置成鄰近支持物。

支持物可以是用于支持基底的襯托器。

根據本公開的另一方面，光學高溫計包括：殼部，包括空心管，所述空心管具有敞開的端部；和具有接收端的接收部，所述接收部布置在空心管的內部使得接收端鄰近所述敞開的端部，其中，接收端的截面積沿縱向朝接收端的端部減小。

接收部的接收端可以具有半球形形狀、錐形形狀、圓錐形形狀、截圓錐形形狀、多棱錐形形狀和截多棱錐形形狀中的任意一種。

光學高溫計可以包括用于將凈化氣體注入接收部和殼部之間的凈化氣體注入部。

通過凈化氣體注入部注入的凈化氣體的流率可以設置成使得在接收部的接收端處產生的渦流為最大的值。

接收部可以包括用于傳輸光的導光管。

殼部的敞開的端部可以相對于接收部的接收端的端部突出。

附圖說明

由下面結合附圖進行的對實施例的描述，這些和/或其他方面將變得清楚并且更加容易理解，其中：

圖1是根據本公開的實施例的高溫計的示意性剖視圖；

圖2示出了在圖1的高溫計中接收部的接收端的結構的示例；

圖3A和圖3B示出了在圖1的高溫計中接收部的接收端的結構的其他示例；