[發(fā)明專利]光學(xué)高溫計(jì)和使用該光學(xué)高溫計(jì)處理半導(dǎo)體的設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310035480.0 | 申請(qǐng)日: | 2013-01-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103226043A | 公開(公告)日: | 2013-07-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 許寅會(huì);申東明;洪鐘波;金秋浩;池元秀;金俊佑 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G01J5/02 | 分類號(hào): | G01J5/02;G01J5/04;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉燦強(qiáng);王占杰 |
| 地址: | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光學(xué) 高溫 使用 處理 半導(dǎo)體 設(shè)備 | ||
1.一種光學(xué)高溫計(jì),包括:
具有接收端的接收部,接收端用于接收加熱單元的光輻射;以及
殼部,覆蓋除接收部的接收端以外的接收部,
其中,接收部的接收端的與接收部的接收端的縱向垂直的截面的面積朝接收部的接收端的端部減小。
2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)高溫計(jì),其中,接收部的接收端具有半球形形狀、錐形形狀、截圓錐形形狀和截多棱錐形形狀中的任意一種。
3.如權(quán)利要求2所述的光學(xué)高溫計(jì),其中,錐形形狀包括圓錐形形狀和多棱錐形形狀中的任意一種。
4.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)高溫計(jì),所述光學(xué)高溫計(jì)還包括用于將凈化氣體注入接收部和殼部之間的凈化氣體注入部。
5.如權(quán)利要求4所述的光學(xué)高溫計(jì),其中,通過凈化氣體注入部注入的凈化氣體的流率被設(shè)置成使得在接收部的接收端處產(chǎn)生的渦流為最大的值。
6.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)高溫計(jì),其中,接收部包括用于傳輸光的導(dǎo)光管。
7.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)高溫計(jì),其中,殼部的端部相對(duì)于接收部的接收端的端部突出。
8.一種半導(dǎo)體處理設(shè)備,包括:
用于容納基底的室,所述基底用于處理半導(dǎo)體;
加熱單元,用于加熱室的內(nèi)部;以及
高溫計(jì),用于檢測(cè)室的內(nèi)部的溫度,所述高溫計(jì)包括接收部和殼部,接收部具有接收端,接收端用于接收加熱單元的光輻射,殼部覆蓋除接收部的接收端以外的接收部,
其中,接收部的接收端的與接收部的接收端的縱向垂直的截面的面積朝接收部的接收端的端部減小。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體處理設(shè)備,其中,接收部的接收端具有半球形形狀、錐形形狀、截圓錐形形狀和截多棱錐形形狀中的任意一種。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體處理設(shè)備,其中,錐形形狀包括圓錐形形狀和多棱錐形形狀中的任意一種。
11.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體處理設(shè)備,其中,所述高溫計(jì)還包括用于將凈化氣體注入接收部和殼部之間的凈化氣體注入部。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體處理設(shè)備,其中,通過凈化氣體注入部注入的凈化氣體的流率被設(shè)置成使得在接收部的接收端處產(chǎn)生的渦流為最大的值。
13.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體處理設(shè)備,其中,接收部包括用于傳輸光的導(dǎo)光管。
14.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體處理設(shè)備,其中,殼部的端部相對(duì)于接收部的接收端的端部突出。
15.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體處理設(shè)備,其中,半導(dǎo)體處理設(shè)備是有機(jī)化學(xué)沉積設(shè)備。
16.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體處理設(shè)備,所述半導(dǎo)體處理設(shè)備還包括被加熱單元加熱并用于支持室中的基底的支持物,其中,接收部的接收端被布置成鄰近支持物。
17.一種光學(xué)高溫計(jì),包括:
殼部,包括空心管,所述空心管具有敞開的端部;以及
接收部,具有接收端,所述接收部布置在空心管的內(nèi)部使得接收端鄰近所述敞開的端部,
其中,接收端的截面積沿縱向朝接收端的端部減小。
18.如權(quán)利要求17所述的光學(xué)高溫計(jì),其中,接收部的接收端具有半球形形狀、錐形形狀、截圓錐形形狀和截多棱錐形形狀中的任意一種。
19.如權(quán)利要求18所述的光學(xué)高溫計(jì),其中,錐形形狀包括圓錐形形狀和多棱錐形形狀中的任意一種。
20.如權(quán)利要求17所述的光學(xué)高溫計(jì),所述光學(xué)高溫計(jì)還包括用于將凈化氣體注入接收部和殼部之間的凈化氣體注入部。
21.如權(quán)利要求20所述的光學(xué)高溫計(jì),其中,通過凈化氣體注入部注入的凈化氣體的流率被設(shè)置成使得在接收部的接收端處產(chǎn)生的渦流為最大的值。
22.如權(quán)利要求17所述的光學(xué)高溫計(jì),其中,接收部包括用于傳輸光的導(dǎo)光管。
23.如權(quán)利要求17所述的光學(xué)高溫計(jì),其中,殼部的敞開的端部相對(duì)于接收部的接收端的端部突出。
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