[發明專利]像素電極上鈍化層的制作方法、液晶顯示器及其制作方法

無效

• 申請號: 201310035128.7
• 申請日: 2013-01-29
• 公開（公告）號: CN103117249A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發明（設計）人: 阮文中;陳建榮;任思雨;于春崎;胡君文;何基強
• 申請（專利權）人: 信利半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L21/31;G02F1/136
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

技術領域

本發明涉及液晶顯示器制造技術領域，尤其涉及一種像素電極上鈍化層的制作方法、液晶顯示器及其制作方法。

背景技術

如圖1-圖3所示，TFT產品的制作過程中，在像素ITO薄膜01完成之后，需要先利用化學氣相沉積設備，在所述像素ITO薄膜01表面形成鈍化層02；再利用干法刻蝕在所述鈍化層02內形成過孔03；最后在所述鈍化層02表面形成頂層ITO04；其中，所述頂層ITO04與所述像素ITO薄膜01電連接。

但是，傳統TFT產品的制作工藝里，在形成過孔03的過程中，會在所述鈍化層02的內的過孔03處形成底切，又稱逆角或倒角，造成頂層ITO04與像素ITO薄膜01之間接觸跨斷，導致該TFT產品顯示異常或無法顯示，降低TFT產品的良率。

發明內容

為解決上述技術問題，本發明實施例提供了一種液晶顯示器及其像素電極上鈍化層的制作方法，以解決由于頂層ITO與像素ITO薄膜之間接觸跨斷，導致該TFT產品顯示異常或無法顯示的問題，提高TFT產品的良率。

為解決上述問題，本發明實施例提供了如下技術方案：

一種像素電極上鈍化層的制作方法，包括：在第一功率下，利用第一流量的工藝氣體，在像素電極表面形成第一厚度的鈍化層；在第二功率下，利用第二流量的工藝氣體，在所述第一厚度的鈍化層表面形成第二厚度的鈍化層；其中，所述第一功率小于第二功率；所述第一流量小于第二流量；所述第一厚度小于第二厚度。

優選的，第一功率為第二功率的50%。

優選的，第一流量為第二流量的20%-40%，包括端點值。

優選的，所述第一厚度為第二厚度的10%-15%，包括端點值。

優選的，所述第一厚度的范圍為包括端點值。

優選的，所述鈍化層為氮化硅層。

優選的，所述鈍化層制作過程中的工藝氣體包括SiH₄和NH₃。

一種液晶顯示器的制作方法，包括：采用上述任一項制作方法，在像素電極表面依次形成第一厚度的鈍化層和第二厚度的鈍化層；在所述鈍化層內形成過孔，所述過孔完全貫穿所述第一厚度的鈍化層和第二厚度的鈍化層；在具有過孔的鈍化層表面形成頂層電極。

一種上述制作方法制作的液晶顯示器。

與現有技術相比，上述技術方案具有以下優點：

本發明實施例所提供的技術方案，采用先在第一功率下，利用第一流量的工藝氣體，在像素電極表面形成第一厚度的鈍化層；再在第二功率下，利用第二流量的工藝氣體，在所述第一厚度的鈍化層表面形成第二厚度的鈍化層的方法，來完成像素電極表面鈍化層的制作，其中，所述第一功率小于第二功率；所述第一流量小于第二流量；所述第一厚度小于第二厚度。

由于第一厚度的鈍化層制作過程中的功率和氣體流量較小，其H+自由基的濃度較低，對像素電極中氧的俘獲能力較弱，從而使得所述第一厚度的鈍化層的制作過程中H+的損失減少，制作的鈍化層較為致密，且第一厚度的鈍化層阻斷了后續第二厚度的鈍化層制作過程中H+自由基與像素電極的接觸，⁺使得第二厚度的鈍化層制作過程中H+不會損失，形成的第二厚度的鈍化層也較為致密，進而使得在所述鈍化層內形成過孔的過程中，不會出現底切，保證了位于所述鈍化層表面的頂層電極與像素電極之間的良好電接觸，解決了由于頂層ITO與像素ITO薄膜之間接觸跨斷，導致該TFT產品顯示異常或無法顯示的問題，提高TFT產品的良率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1-3為現有技術中TFT產品制作工藝里，像素電極上鈍化層的制作方法的剖面結構示意圖；

圖4-6為本發明實施例所提供的液晶顯示器的制作方法的剖面結構示意圖。

具體實施方式

正如背景技術部分所述，如圖3所示，傳統TFT產品的制作工藝里，在形成過孔03的過程中，會在所述鈍化層02內的過孔03處形成底切，造成頂層ITO04與像素ITO薄膜01之間接觸跨斷，導致TFT產品顯示異常或無法顯示，降低TFT產品的良率。