[發明專利]像素電極上鈍化層的制作方法、液晶顯示器及其制作方法無效
| 申請號: | 201310035128.7 | 申請日: | 2013-01-29 |
| 公開(公告)號: | CN103117249A | 公開(公告)日: | 2013-05-22 |
| 發明(設計)人: | 阮文中;陳建榮;任思雨;于春崎;胡君文;何基強 | 申請(專利權)人: | 信利半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L21/31;G02F1/136 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 王寶筠 |
| 地址: | 516600 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 電極 鈍化 制作方法 液晶顯示器 及其 | ||
1.一種像素電極上鈍化層的制作方法,其特征在于,包括:
在第一功率下,利用第一流量的工藝氣體,在像素電極表面形成第一厚度的鈍化層;
在第二功率下,利用第二流量的工藝氣體,在所述第一厚度的鈍化層表面形成第二厚度的鈍化層;
其中,所述第一功率小于第二功率;所述第一流量小于第二流量;所述第一厚度小于第二厚度。
2.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,第一功率為第二功率的50%。
3.根據權利要求2所述的制作方法,其特征在于,第一流量為第二流量的20%-40%,包括端點值。
4.根據權利要求3所述的制作方法,其特征在于,所述第一厚度為第二厚度的10%-15%,包括端點值。
5.根據權利要求4所述的制作方法,其特征在于,所述第一厚度的范圍為包括端點值。
6.根據權利要求5所述的制作方法,其特征在于,所述鈍化層為氮化硅層。
7.根據權利要求5所述的制作方法,其特征在于,所述鈍化層制作過程中的工藝氣體包括SiH4和NH3。
8.一種液晶顯示器的制作方法,其特征在于,包括:
采用權利要求1-7任一項所述的制作方法,在像素電極表面依次形成第一厚度的鈍化層和第二厚度的鈍化層;
在所述鈍化層內形成過孔,所述過孔完全貫穿所述第一厚度的鈍化層和第二厚度的鈍化層;
在具有過孔的鈍化層表面形成頂層電極。
9.一種采用權利要求8所述制作方法制作的液晶顯示器。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





