[發明專利]LED自對準粗化制程方法

無效

• 申請號: 201310035120.0
• 申請日: 2013-01-30
• 公開（公告）號: CN103094428A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 盧昶鳴;何善良
• 申請（專利權）人: 合肥彩虹藍光科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/36
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

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技術領域

????本發明涉及半導體制作領域，更具體的說，涉及一種LED表面粗化制成的工藝方法。

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背景技術

隨著半導體科技的進步，現今的?LED?已具備了高亮度的輸出，加上?LED?具有省電、體積小、低電壓驅動以及不含汞等優點，因此?LED?已廣泛地應用在顯示器與照明等領域。

不過由于?LED?材料，其折射系數大，因此全反射角度大，而光取出角度小，所以導致光取出效率不佳。為了增加光取出效率，LED?廠家紛紛發展表面粗化制程工藝。透過表面粗化，讓光更容易從?LED?材料內部逃逸，而增加光的取出效率。然而為了進行表面粗化制程，必須增加一道黃光制程，如圖1所示的制成流程圖。除了浪費生產成本，亦會因黃光曝光精準度和有機物殘留，造成良率的損失。????

發明內容

本發明為解決上述技術問題，提供一種LED自對準粗化制程方法，不僅能夠降低制作成本，而且可以提升產品良率。

????為達到上述目的，本發明采用的技術方案如下：

???一種LED自對準粗化制程方法，包括步驟如下：

?（1）首先完成黃光和蒸鍍制程，將?LED?電極完成；

?（2）透過氧電漿進行光刻膠灰化蝕刻，將曝光顯影區域線寬變大；

?（3）進行自對準粗化用的保護層蒸鍍，使用低溫鍍膜技術進行薄膜制程，作為后續粗化制程用的保護層；??

（4）完成保護層鍍膜后，進行金屬和保護層的剝離和去膠；

（5）進行粗化制程，后續將保護層用氟化銨混合溶液進行蝕刻去除。

所述步驟（3）中低溫鍍膜技術包括低溫?PECVD?(電漿輔助化學氣相沉積)?或?E-gun(電子槍蒸鍍)?或?Sputter(濺鍍)。

所述步驟（3）中可鍍單層或多層組合的?SiOx(氧化珪薄膜)?，或?SiNx(氮化珪薄膜)?，或?SiOxNy?Film(氮氧化珪薄膜)。

本發明技術方案，透過氧電漿進行光刻膠灰化蝕刻和低溫鍍膜技術，將電極進行保護，而實踐自對準粗化制程。不僅可以少一道黃光制程，從而降低制作成本，又可避免因黃光曝光精準度和有機物殘留，造成良率的損失，提升產品良率。

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附圖說明

圖1是現有LED表面粗化制程流程圖；

圖2是本發明LED表面粗化制成流程圖。

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具體實施方式

以下通過附圖和具體實施例對本發明所提供的設計方法做一詳細的描述：

???如圖2所示，本發明所提供的LED自對準粗化制程方法，其步驟如下：

?（1）首先完成黃光和蒸鍍制程，將?LED?電極完成；

?（2）透過氧電漿（?O₂?plasma）進行光刻膠灰化蝕刻（PR?ash），將曝光顯影區域（?ADI）線寬變大；

?（3）進行自對準粗化用的保護層蒸鍍，使用低溫鍍膜技術進行薄膜制程（?film?deposition?），作為后續粗化制程用的保護層；

??（4）完成保護層鍍膜后，進行金屬和保護層的剝離（Lift?off?）和去膠；

??（5）進行粗化制程，后續將保護層用氟化銨混合溶液（?BoE）進行蝕刻去除。

上述步驟（3）中的低溫鍍膜技術包括低溫?PECVD?(電漿輔助化學氣相沉積)?或?E-gun(電子槍蒸鍍)?或?Sputter(濺鍍)。并可鍍單層或多層組合的?SiOx(氧化珪薄膜)?，或?SiNx(氮化珪薄膜)?，或?SiOxNy?Film(氮氧化珪薄膜)。

上述具體實施方式只是用于說明本發明，并不能用來限定本發明的保護范圍。對于在本發明技術方案的思想指導下的變形和轉換，都應該歸于本發明保護范圍以內。