[發明專利]LED自對準粗化制程方法無效
| 申請號： | 201310035120.0 | 申請日： | 2013-01-30 |
| 公開（公告）號： | CN103094428A | 公開（公告）日： | 2013-05-08 |
| 發明（設計）人： | 盧昶鳴;何善良 | 申請（專利權）人： | 合肥彩虹藍光科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/36 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 230011 *** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | led 對準 粗化制程 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種LED自對準粗化制程方法，其特征在于，包括步驟如下：
?（1）首先完成黃光和蒸鍍制程，將?LED?電極完成；
?（2）透過氧電漿進行光刻膠灰化蝕刻，將曝光顯影區域線寬變大；
?（3）進行自對準粗化用的保護層蒸鍍，使用低溫鍍膜技術進行薄膜制程蒸鍍?，作為后續粗化制程用的保護層；
?（4）完成保護層鍍膜后，進行金屬和保護層的剝離和去膠；
?（5）進行粗化制程，后續將保護層用氟化銨混合溶液進行蝕刻去除。
2.根據權利要求1所述的LED自對準粗化制程方法，其特征在于，所述步驟（3）中低溫鍍膜技術包括低溫電漿輔助化學氣相沉積或電子槍蒸鍍或濺鍍。
3.根據權利要求1所述的LED自對準粗化制程方法，其特征在于，所述步驟（3）中可鍍單層或多層組合的氧化珪薄膜，或氮化珪薄膜，或氮氧化珪薄膜。
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