[發明專利]晶圓的碎屑的清除方法

有效

• 申請號: 201310034989.3
• 申請日: 2013-01-29
• 公開（公告）號: CN103962345B
• 公開（公告）日: 2017-02-08
• 發明（設計）人: 李玉華
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: B08B7/00
• 分類號: B08B7/00;B08B3/08;B08B7/04
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224
• 代理人: 鄧云鵬

技術領域

本發明涉及半導體領域，尤其是涉及一種晶圓的碎屑的清除方法。

背景技術

隨著科學技術的飛速發展，lC集成度不斷提高，線寬不斷減小，對硅襯底片的質量要求也越來越高，而拋光片表面的顆粒和金屬雜質污染會嚴重影響器件的質量和成品率。

晶圓在不斷被加工成形及拋光處理的過程中，由于與各種有機物及各種粒子（如研磨、拋光）以及各機臺的金屬接觸而受到污染，因此將這些污染物去除干凈是晶圓制造過程中尤為重要的一個工藝步驟。

在晶圓搬送和加工過程中，偶爾會發生晶圓碎裂，碎屑會沾污其他晶圓。通常的碎片流程中采用高壓噴水和刷子清洗的方法去除晶圓上粘附的碎屑。

然而，這種方法對于低臺階晶圓效果較好，對于高臺階晶圓則無法達到去除高臺階晶圓上粘附的晶圓碎屑的目的。

發明內容

基于此，有必要提供一種可以去除高臺階晶圓上粘附的碎屑的晶圓的碎屑的清除方法。

一種晶圓的碎屑的清除方法，包括如下步驟：

在沾染了碎屑的晶圓上涂覆一層光刻膠；

用可溶解所述光刻膠的溶劑對涂覆了光刻膠的晶圓進行清洗。

在一個實施例中，所述晶圓為高臺階晶圓。

在一個實施例中，采用旋涂的方式在所述沾染了碎屑的晶圓上涂覆一層光刻膠。

在一個實施例中，所述光刻膠為光刻膠AR100、光刻膠SPR955或光刻膠MIR701。

在一個實施例中，所述可溶解所述光刻膠的溶劑為丙二醇甲醚醋酸酯。

在一個實施例中，還包括在用可溶解所述光刻膠的溶劑對涂覆了光刻膠的晶圓進行清洗后，對清洗后的晶圓依次進行干法去膠處理和濕法去膠處理的操作。

在一個實施例中，所述干法去膠處理為：采用原子態氧與所述光刻膠反應，接著抽去生成的氣態成分H₂O和CO₂。

在一個實施例中，所述濕法去膠處理為：采用洗液將晶圓表面殘留的有機物去除。

這種晶圓的碎屑的清除方法通過在沾染了碎屑的晶圓表面涂覆一層光刻膠，從而光刻膠會填滿臺階和臺階之間的空隙并將碎屑粘附住，接著采用可溶解上述光刻膠的溶劑對晶圓進行清洗時，一方面碎屑和光刻膠之間結合力較強，另一方面光由于刻膠的表面張力，從而使得碎屑會隨著光刻膠一起被可溶解光刻膠的溶劑洗去。相對于傳統的采用高壓噴水和刷子清洗的方法，這種晶圓的碎屑的清除方法可以去除高臺階晶圓上粘附的碎屑。

附圖說明

圖1為一實施方式的晶圓的碎屑的清除方法的流程圖；

圖2為S10得到的晶圓的示意圖。

具體實施方式

為了便于理解本發明，下面將參照相關附圖對本發明進行更全面的描述。附圖中給出了本發明的較佳實施例。但是，本發明可以以許多不同的形式來實現，并不限于本文所描述的實施例。相反地，提供這些實施例的目的是使對本發明的公開內容的理解更加透徹全面。

如圖1所示的一實施方式的晶圓的碎屑的清除方法，步驟如下。

S10、在沾染了碎屑的晶圓上涂覆一層光刻膠。

本實施方式中，晶圓為高臺階晶圓。

一般而言，高臺階晶圓指晶圓表面圖形深寬比大于1的晶圓。

本實施方式中采用旋涂的方式在沾染了碎屑的晶圓上涂覆一層光刻膠。旋涂的方式操作簡單容易，自動化程度高，可控性高。

在其他的實施方式中，也可以選擇其他的涂覆方式。

在晶圓的搬送和加工過程中，容易因為晶圓碎裂而產生碎屑。在沾染了碎屑的晶圓表面涂覆一層光刻膠，得到如圖2所示的晶圓10。

如圖2所示，晶圓10的臺階12上和臺階12之間沾染了碎屑16。在沾染了碎屑16的晶圓10上涂覆一層光刻膠14后，由于光刻膠14具有流動性，光刻膠14會填滿臺階12和臺階12之間的空隙并將碎屑16粘附住。

在正常情況下，碎屑16與臺階12直接只是單純的附著，兩者間的結合力較低。而碎屑16和光刻膠14之間會因為光刻膠14的粘附性而具有較強的結合力。

本實施方式中，光刻膠14采用光刻膠AR100。在其他的實施方式中，光刻膠14還可以采用光刻膠SPR955、光刻膠MIR701等。

S20、用可溶解上述光刻膠的溶劑對S10得到的晶圓進行清洗。

采用可溶解上述光刻膠14的溶劑對晶圓10進行清洗時，一方面碎屑16和光刻膠14之間結合力較強，另一方面光由于刻膠14的表面張力，從而使得碎屑16會隨著光刻膠14一起被可溶解光刻膠14的溶劑洗去。