[發(fā)明專利]干法刻蝕反應(yīng)室腔體的上電極及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310034932.3
• 申請日: 2013-01-30
• 公開（公告）號: CN103871818A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金東熙;劉芳鈺;陳青楓
• 申請（專利權(quán)）人: 世界中心科技股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01J9/02
• 代理公司: 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是關(guān)于刻蝕設(shè)備，特別是有關(guān)一種干法刻蝕反應(yīng)室腔體的上電極及其制造方法。

背景技術(shù)

制作液晶顯示裝置的過程包括對液晶顯示裝置的基板進行干法刻蝕工藝。請參閱圖1~2圖，其中圖1所示為一基板10在干法刻蝕反應(yīng)室腔體1中的示意圖，圖2所示為干法刻蝕反應(yīng)室腔體1中一上電極12的俯視圖。在真空且布滿等離子體的干法刻蝕反應(yīng)室腔體1中，上電極12表面布滿均勻的氣體孔16，下電極14用于承載基板10。進行干法刻蝕工藝時，是將所需的反應(yīng)氣體由氣體入口18導(dǎo)入，反應(yīng)氣體經(jīng)過上電極12的氣體孔16進入上電極12與下電極14之間的空間，通過在上電極12與下電極14施加一電位差使得上電極12與下電極14之間的空間形成一電場，因此讓等離子體與反應(yīng)氣體對基板進行干法刻蝕工藝。

上電極12是以鋁材質(zhì)制成，氣體孔16均勻布滿的目的在于使刻蝕效應(yīng)均勻，目前對于上電極12的表面還會進行陽極處理以生成具保護功能的薄膜，因此改善上電極12的抗腐蝕能力，避免出現(xiàn)干法刻蝕工藝的反應(yīng)氣體使鋁材質(zhì)劣化而發(fā)生剝落、刻蝕等不良現(xiàn)象，影響基板10的產(chǎn)品良率。然而在氣體孔16入口及出口位置即上電極12的上表面或下表面因陽極處理所生成的薄膜較薄、出口位置等離子體能量與反應(yīng)氣體濃度較高使得薄膜特性劣化，容易形成微粒而掉落并附著于基板10表面，造成基板10的損壞，甚至?xí)虮∧さ袈涠逛X材質(zhì)制成的上電極12裸露，進行干法刻蝕工藝時發(fā)生電荷聚集與電弧放電(arcing)的情形，嚴(yán)重破壞基板10與干法刻蝕反應(yīng)室腔體1中其它零組件。

此外，對上電極12的表面進行陽極處理會縮短其使用壽命，當(dāng)溫度、干法刻蝕反應(yīng)等因素致使其表面特性劣化時，僅能以翻新再生(refurbishment)方式恢復(fù)原有功能，而再生次數(shù)會因氣體孔16的尺寸日益擴大及鋁材質(zhì)本身強度劣化而有所限制，造成上電極12須時常更換，增加成本。

所以，的確有需要對上述上電極的問題提出解決方法。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種干法刻蝕反應(yīng)室腔體的上電極及其制造方法，能提升上電極的抗刻蝕能力及延長使用壽命。

本發(fā)明提供的技術(shù)方案是，干法刻蝕反應(yīng)室腔體的上電極包括一板體以及至少一進氣單元。所述板體包括至少一貫穿孔。所述進氣單元嵌設(shè)于所述貫穿孔并包括多個氣體孔。

本發(fā)明提供的另一技術(shù)方案是，干法刻蝕反應(yīng)室腔體的上電極的制造方法包括：提供一板體；于所述板體開設(shè)至少一貫穿孔；以及將至少一進氣單元嵌設(shè)于所述貫穿孔，其中所述進氣單元包括多個氣體孔。

本發(fā)明的干法刻蝕反應(yīng)室腔體的上電極及其制造方法通過將所述氣體孔制造于所述進氣單元，可降低工藝反應(yīng)氣體對所述板體的破壞，延長上電極的使用壽命。

附圖說明

圖1所示為一基板在干法刻蝕反應(yīng)室腔體中的示意圖；

圖2所示為干法刻蝕反應(yīng)室腔體中一上電極的俯視圖；

圖3所示為根據(jù)本發(fā)明的干法刻蝕反應(yīng)室腔體的上電極俯視圖；

圖4所示為圖3中沿線段AA’的剖面圖；

圖5所示為圖3的進氣單元俯視圖；

圖6所示為圖5中沿線段BB’的剖面圖；

圖7所示為根據(jù)本發(fā)明的干法刻蝕反應(yīng)室腔體的上電極的制造方法流程圖。

附圖中標(biāo)號的對應(yīng)關(guān)系如下：

1??????????????干法刻蝕反應(yīng)室腔體

10?????????????基板

12、32????????上電極

14????????????下電極

16、332???????氣體孔

320???????????板體

322???????????貫穿孔

330???????????進氣單元

AA’、BB’????線段

S700~S740?????步驟

具體實施方式

以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的技術(shù)方案進行詳細說明。

請參閱圖3~4，其中圖3所示為根據(jù)本發(fā)明的干法刻蝕反應(yīng)室腔體的上電極(以下簡稱上電極32)俯視圖，圖4所示為圖3中沿線段AA’的剖面圖。干法刻蝕反應(yīng)室腔體如圖1所示，在此不多加贅述。

上電極32包括一板體320以及至少一進氣單元330。所述板體320包括至少一貫穿孔322。貫穿孔322是垂直方向的孔洞。在本實施例中，板體320是以鋁材質(zhì)制成，在其它實施例中，板體可以由其它適合的材質(zhì)制成且形狀不限。