[發明專利]干法刻蝕反應室腔體的上電極及其制造方法

在審

• 申請號: 201310034932.3
• 申請日: 2013-01-30
• 公開（公告）號: CN103871818A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 金東熙;劉芳鈺;陳青楓
• 申請（專利權）人: 世界中心科技股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01J9/02
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

1.一種干法刻蝕反應室腔體的上電極，其特征在于，包括：

一板體，包括至少一貫穿孔；以及

至少一進氣單元，嵌設于所述貫穿孔并包括多個氣體孔。

2.如權利要求1所述的干法刻蝕反應室腔體的上電極，其特征在于，所述貫穿孔是對應干法刻蝕反應室腔體分流控制區域的數量、大小及位置而開設。

3.如權利要求1所述的干法刻蝕反應室腔體的上電極，其特征在于，所述進氣單元是以高抗刻蝕能力及高介電常數的材料制成。

4.如權利要求3所述的干法刻蝕反應室腔體的上電極，其特征在于，所述進氣單元是以陶瓷材料所制成。

5.如權利要求4所述的干法刻蝕反應室腔體的上電極，其特征在于，所述進氣單元是以氧化陶鋁、氧化鋯或氧化釔材料所制成。

6.一種干法刻蝕反應室腔體的上電極的制造方法，包括：

提供一板體；

于所述板體開設至少一貫穿孔；以及

將至少一進氣單元嵌設于所述貫穿孔，其特征在于，所述進氣單元包括多個氣體孔。

7.如權利要求6所述的干法刻蝕反應室腔體的上電極的制造方法，其特征在于，所述貫穿孔是對應干法刻蝕反應室腔體分流控制區域的數量、大小及位置而開設。

8.如權利要求6所述的干法刻蝕反應室腔體的上電極的制造方法，其特征在于，是以黏合材料、卡榫或螺牙將所述進氣單元嵌設于貫穿孔。

9.如權利要求8所述的干法刻蝕反應室腔體的上電極的制造方法，其特征在于，所述黏合材料為環氧樹酯或陶瓷膠。

10.如權利要求6所述的干法刻蝕反應室腔體的上電極的制造方法，其特征在于，所述進氣單元是以燒結工藝經加工而形成的氧化陶鋁、氧化鋯或氧化釔的陶瓷材料所制成。

11.如權利要求6所述的干法刻蝕反應室腔體的上電極的制造方法，其特征在于，在進氣單元嵌設于所述貫穿孔的步驟之后進一步包括對所述上電極進行表面處理的步驟，包括下列至少一種：以等離子體熔射方式將陶瓷材料形成于所述上電極表面以使所述上電極表面厚度平整、以噴砂方式控制上電極的表面粗糙度、對上電極表面進行拋磨整平、對上電極進行銳角圓滑度處理以及對上電極表面進行陽極處理以生成保護的薄膜。

12.如權利要求11所述的干法刻蝕反應室腔體的上電極的制造方法，其特征在于，對所述上電極進行表面處理的步驟之后進一步包括以等離子體熔射方式將高抗刻蝕能力及高介電常數的材形成于所述上電極表面。