[發明專利]一種金邊弧葉龍舌蘭離體培養及再生體系建立的方法

無效

• 申請號: 201310033326.X
• 申請日: 2013-01-29
• 公開（公告）號: CN103039370A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 張燕梅;周文釗;李俊峰;陸軍迎;林映雪
• 申請（專利權）人: 中國熱帶農業科學院南亞熱帶作物研究所
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00
• 代理公司: 廣州市南鋒專利事務所有限公司 44228
• 代理人: 劉廣生

技術領域

本發明涉及一種龍舌蘭麻離體培養及植株再生體系建立的方法，特別涉及一種金邊弧葉龍舌蘭離體培養及再生體系建立的方法，屬于組織培養育苗技術領域。

背景技術

金邊弧葉龍舌蘭麻為龍舌蘭科龍舌蘭屬多年生草本植物，主要分布在熱帶、亞熱帶地區，葉長橢圓形，叢生，呈螺旋狀排列于基部，葉緣有黃白色條紋，葉片堅挺美觀，四季常青，是主要的園林觀賞植物之一，有重要的觀賞價值，常用于盆栽或庭院觀賞。

金邊弧葉龍舌蘭2-3年開一次花，開花后便整株死亡，因此多用珠芽繁殖。國內外對龍舌蘭麻的組織培養和植株再生做了一定的探索。目前已成功建立了亞洲馬蓋麻（A.?cantala?Robx）、灰葉劍麻（A.?fourcroydes?Lem）、普通劍麻（A.?sisalana?Perrine）、藍劍麻（A.?tequilana?Weber?cultivar?azul）、A.?parrasana?Berger、?A.?tequilana、A.?crassispina、?A.?duranguensisA.?vera-cruz?Mill.、?A.?atrovirens、A.?arizonica和普通劍麻、H.11648等體外再生體系并獲得了完整的再生植株；目前有關金邊弧葉龍舌蘭麻離體培養與植株再生的研究還未見報道，因此，建立金邊弧葉龍舌蘭的離體培養和植株再生體系，不僅為快速繁殖提供有效途徑，同時為龍舌蘭麻誘變育種、單倍體育種以及基因工程育種打下良好的基礎，為遺傳改良提供有效途徑。

發明內容

本發明的目的是建立一種金邊弧葉龍舌蘭離體培養和植株再生的方法，為了解決上述問題，本發明所采用的技術方案是：

??一種金邊弧葉龍舌蘭離體培養和植株再生的方法，包括如下步驟:

????(1)外植體表面消毒及無菌苗培養

以金邊弧葉龍舌蘭珠芽苗莖尖為材料，先將外層老葉剝離，流水沖洗后用0.3%高錳酸鉀溶液處理30min，在超凈工作臺上用75%酒精處理1~2?min，再用0.1%氯化汞溶液處理15~30?min，最后用無菌水沖洗3-5次，晾干后縱切，接種于叢芽誘導培養基HS?(硝酸鉀2500mg/L，磷酸二氫銨300?mg/L，二水氯化鈣200?mg/L，七水硫酸鎂400?mg/L，一水硫酸錳10?mg/L，七水硫酸鋅1?mg/L，硼酸5?mg/L，碘化鉀1?mg/L，二水鉬酸鈉0.1?mg/L，五水硫酸銅0.2?mg/L，六水氯化鈷0.1?mg/L，七水硫酸鐵27.8?mg/L，乙二胺四乙酸二鈉37.3?mg/L，鹽酸硫胺素0.5?mg/L，鹽酸吡哆醇0.5?mg/L，煙酸0.5?mg/L，肌醇100?mg/L，甘氨酸2?mg/L）上，HS基本培養基添加6-芐氨基腺嘌呤6-BA濃度為2.0-5.0?mg/L，培養基的pH值為5.8，蔗糖濃度為30?g/?L，卡拉膠濃度為8?g/?L，培養條件為每天光照12?h，暗培養12?h，光照強度1500?lux，培養溫度為26±2℃；

????(2)愈傷組織的誘導

?????取步驟（1）培養的生長健壯的無菌苗莖尖縱切后連同嫩葉一起接種于愈傷組織誘導培養基中培養2-4周，剝離外層葉片后轉入相同培養基上進行愈傷組織誘導培養，愈傷組織誘導培養基為MS基本培養基，添加外源激素為6-芐氨基腺嘌呤6-BA和萘乙酸NAA；6-芐氨基腺嘌呤6-BA的濃度為1.0-3.0?mg/L，萘乙酸NAA的濃度為0.1-1.0?mg/L；培養基的pH值為5.8，蔗糖濃度為30?g/?L，卡拉膠濃度為8?g/?L；培養條件為：黑暗24?h，溫度26±2?℃；??

????(3)愈傷組織繼代培養

????取步驟(2)誘導的淡黃綠色愈傷組織接種在繼代培養基中進行繼代培養，繼代培養基為MS基本培養基，添加外源激素為6-芐氨基腺嘌呤6-BA、萘乙酸NAA和吲哚3丁酸IBA；其中6-BA的濃度為1.0-5.0?mg/L；NAA的濃度為0.01-1.0?mg/L，IBA的濃度為0.01-1.0?mg/L；培養基的pH值為5.8，蔗糖濃度為30?g/?L，卡拉膠濃度為8?g/?L；繼代培養條件為：光照12?h，黑暗12?h，光照強度1000?lux，溫度26±2?℃；

????(4)不定芽誘導