[發(fā)明專利]閃存的測試方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310032590.1
• 申請日: 2013-01-28
• 公開（公告）號(hào): CN103117094B
• 公開（公告）日: 2017-02-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 錢亮
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): G11C29/56
• 分類號(hào): G11C29/56
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于閃存測試領(lǐng)域，特別是涉及一種閃存的測試方法。

背景技術(shù)

閃存（Flash?Memory）是一種非易失性存儲(chǔ)器，即斷電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，其最典型的應(yīng)用為制作成閃存存儲(chǔ)卡，例如CF（compact?memory）卡、MM（multi-media?memory）卡、MS（memory?stick）卡或SM（smart?memory）卡，以提供攜帶式電子消費(fèi)產(chǎn)品使用。例如，使用于隨身碟、錄音筆、MP3、智慧型手機(jī)或數(shù)字相機(jī)等等。這些存儲(chǔ)卡經(jīng)常都會(huì)被覆寫，以更新資料。

閃存通常包含多條字線（word?line）、與多條字線相交的多條位線（bit?line）及多行存儲(chǔ)單元，所述存儲(chǔ)單元配置在一條字線與一條位線的交點(diǎn)處，同一行存儲(chǔ)單元的控制柵極連接到同一條字線上，同一列存儲(chǔ)單元的漏極連接到同一條位線上，同一行存儲(chǔ)單元的源極連接到同一條源極線（source?line）上，因此閃存中的多個(gè)存儲(chǔ)單元構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)單元陣列。圖1是閃存中一個(gè)存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，所述存儲(chǔ)單元包含控制柵極（control?gate）1、浮置柵極（floating?gate）2、源極3、漏極4，柵介質(zhì)層5及隧穿氧化層6。

在理想情況下，當(dāng)所述存儲(chǔ)單元控制柵極1在零偏壓時(shí)，源極3與漏極4之間不會(huì)產(chǎn)生漏電流（punch?through），即與漏極4連接的位線上的漏電流為零。但實(shí)際上由于多種因素的影響，當(dāng)所述存儲(chǔ)單元控制柵極1在零偏壓時(shí)，源極3與漏極4之間會(huì)產(chǎn)生漏電流，當(dāng)該漏電流較大時(shí)，導(dǎo)致該存儲(chǔ)單元漏極4所連接位線（將這條位線稱作異常位線）的漏電流較大，而同一列存儲(chǔ)單元的漏極是連接到同一條位線上的，導(dǎo)致連接在該異常位線上的其它存儲(chǔ)單元的工作受到影響，例如編程后讀取錯(cuò)誤等。

鑒于此，需對(duì)閃存進(jìn)行測試以判斷存儲(chǔ)單元的漏電流是否符合要求。

更多關(guān)于閃存的測試方法可參照于2008年5月7日公開、公開號(hào)為CN101174474A的中國專利申請。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種閃存的測試方法，以判斷存儲(chǔ)單元的漏電流是否符合要求。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種閃存的測試方法，所述閃存包括多條字線、與多條字線相交的多條位線及多行存儲(chǔ)單元，每個(gè)所述存儲(chǔ)單元配置在一條字線與一條位線的交點(diǎn)處，同一行存儲(chǔ)單元的控制柵極連接到同一條字線上，同一列存儲(chǔ)單元的漏極連接到同一條位線上，同一行存儲(chǔ)單元的源極連接到同一條源極線上，所述方法包括：

逐次向若干行存儲(chǔ)單元施加電壓應(yīng)力，直至所有存儲(chǔ)單元均被施加所述電壓應(yīng)力，每次施加所述電壓應(yīng)力的步驟包括：向若干行存儲(chǔ)單元的源極所連接的源極線施加正電壓、控制柵極所連接的字線及漏極所連接的位線施加零伏電壓；

每次施加所述電壓應(yīng)力之后或者所有存儲(chǔ)單元被施加所述電壓應(yīng)力之后，逐一判斷被施加過所述電壓應(yīng)力的存儲(chǔ)單元的漏電流是否符合要求，包括：從被施加過所述電壓應(yīng)力的存儲(chǔ)單元中讀取數(shù)據(jù)以獲取測試結(jié)果，將所述測試結(jié)果與判斷標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行比較，所述測試結(jié)果為讀出電流或讀出電壓。

可選地，施加所述電壓應(yīng)力的持續(xù)時(shí)間為1ms至3ms。

可選地，所述正電壓不大于12伏。

可選地，所述正電壓為5伏至6伏。

可選地，向若干行存儲(chǔ)單元施加電壓應(yīng)力之前擦除所述若干行存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)。

可選地，從被施加過所述電壓應(yīng)力的存儲(chǔ)單元中讀取數(shù)據(jù)以獲取測試結(jié)果，將所述測試結(jié)果與判斷標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行比較的步驟包括：從存儲(chǔ)單元中讀取數(shù)據(jù)“1”，獲取讀出電流，若所述讀出電流大于10μA時(shí)，則該存儲(chǔ)單元的漏電流符合要求，否則該存儲(chǔ)單元的漏電流不符合要求。

可選地，每次施加所述電壓應(yīng)力的同時(shí)向除所述若干行存儲(chǔ)單元外的存儲(chǔ)單元的源極所連接的源極線、控制柵極所連接的字線及漏極所連接的位線均施加零伏電壓。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：