[發明專利]閃存的測試方法

有效

• 申請號: 201310032590.1
• 申請日: 2013-01-28
• 公開（公告）號: CN103117094B
• 公開（公告）日: 2017-02-08
• 發明（設計）人: 錢亮
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C29/56
• 分類號: G11C29/56
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種閃存的測試方法，所述閃存包括多條字線、與多條字線相交的多條位線及多行存儲單元，每個所述存儲單元配置在一條字線與一條位線的交點處，同一行存儲單元的控制柵極連接到同一條字線上，同一列存儲單元的漏極連接到同一條位線上，同一行存儲單元的源極連接到同一條源極線上，其特征在于，所述方法包括：

逐次向若干行存儲單元施加電壓應力，直至所有存儲單元均被施加所述電壓應力，每次施加所述電壓應力的步驟包括：向若干行存儲單元的源極所連接的源極線施加正電壓、控制柵極所連接的字線及漏極所連接的位線施加零伏電壓；

每次施加所述電壓應力之后或者所有存儲單元被施加所述電壓應力之后，逐一判斷被施加過所述電壓應力的存儲單元的漏電流是否符合要求，包括：從被施加過所述電壓應力的存儲單元中讀取數據以獲取測試結果，將所述測試結果與判斷標準進行比較，所述測試結果為讀出電流或讀出電壓。

2.根據權利要求1所述的閃存的測試方法，其特征在于，施加所述電壓應力的持續時間為1ms至3ms。

3.根據權利要求1所述的閃存的測試方法，其特征在于，所述正電壓不大于12伏。

4.根據權利要求1所述的閃存的測試方法，其特征在于，所述正電壓為5伏至6伏。

5.根據權利要求1所述的閃存的測試方法，其特征在于，向若干行存儲單元施加電壓應力之前擦除所述若干行存儲單元中的數據。

6.根據權利要求5所述的閃存的測試方法，其特征在于，從被施加過所述電壓應力的存儲單元中讀取數據以獲取測試結果，將所述測試結果與判斷標準進行比較的步驟包括：從存儲單元中讀取數據“1”，獲取讀出電流，若所述讀出電流大于10μA時，則該存儲單元的漏電流符合要求，否則該存儲單元的漏電流不符合要求。

7.根據權利要求1所述的閃存的測試方法，其特征在于，每次施加所述電壓應力的同時向除所述若干行存儲單元外的存儲單元的源極所連接的源極線、控制柵極所連接的字線及漏極所連接的位線均施加零伏電壓。