[發明專利]陣列基板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201310032587.X
• 申請日: 2013-01-28
• 公開（公告）號: CN103094354A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 王慧;徐向陽
• 申請（專利權）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及陣列基板及其制造方法、顯示裝置。

背景技術

隨著顯示技術的迅速發展，顯示裝置的尺寸在不斷的增大，驅動電路的頻率也在不斷的增大，因此，需要遷移率更高的薄膜晶體管進行工作。其中，遷移率是指載流子(電子和空穴)在單位電場作用下的平均漂移速度，即載流子在電場作用下運動速度的快慢。載流子運動得越快，遷移率越大；載流子運動得越慢，遷移率越小。由于現有的非晶硅薄膜晶體管的遷移率無法滿足大尺寸的顯示裝置，因此，具有高遷移率的多晶硅薄膜晶體管和金屬氧化物薄膜晶體管得到了廣泛重視，而金屬氧化物半導體TFT(Thin?Film?Transistor，薄膜晶體管)(如IGZO(Indium?Ga11ium?Zinc?Oxide，銦鎵鋅氧化物)TFT)以其遷移率高，透明，制作工藝簡單等優點，被廣泛應用于顯示裝置中。

目前，金屬氧化物TFT的結構主要分為刻蝕阻擋型(Etch?Stop?Type)、背溝道刻蝕型(Back?Channel?Etch?Type)和共面型(Coplanar?Type)三種類型。然而，在制備薄膜晶體管陣列基板的過程中，刻蝕阻擋型金屬氧化物TFT制作工藝簡單，但是需要一次額外的光刻工藝形成刻蝕阻擋層，增加了金屬氧化物TFT的制作工藝流程。背溝道刻蝕型金屬氧化物TFT由于金屬氧化物半導體層上沒有設置保護層，在形成源漏金屬電極時很容易對金屬氧化物半導體層造成破壞，從而損害了金屬氧化物TFT的性能。共面型金屬氧化物TFT雖然在制備過程中避免了在形成源漏金屬電極工藝中對金屬氧化物半導體層的破壞，與刻蝕阻擋型制作金屬氧化物TFT相比還少了一次光刻工藝，減少了制備制造的投入，但是由于漏極、金屬氧化物半導體層與像素電極層之間的電阻較大，降低了金屬氧化物TFT的顯示特性。

發明內容

本發明的實施例提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，能夠在避免形成源漏金屬電極時對金屬氧化物半導體層造成破壞，同時，使用像素電極層與金屬氧化物半導體層直接接觸，不需要漏極金屬，降低了金屬氧化物半導體層與像素電極層之間的電阻，大大提升了顯示裝置的顯示特性。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

本發明實施例提供一種陣列基板，包括：

基板；

設置于所述基板上的包括柵極的柵極層；

設置于所述柵極層上的柵絕緣層；

設置于所述柵絕緣層上的包括源極的源極層；以及

設置于所述源極層和所述柵絕緣層上的包括有源層的金屬氧化物半導體層，其中，所述源極與所述有源層直接接觸；

與所述有源層直接接觸的像素電極層，

其中，所述柵極對應于所述像素電極層與所述有源層接觸的接觸部與所述源極之間的位置。

所述像素電極層設置于所述金屬氧化物半導體層上，或者設置于所述金屬氧化物半導體層與所述柵絕緣層之間。

所述陣列基板，還包括：

設置于所述金屬氧化物半導體層上的絕緣層。

所述絕緣層內形成有過孔，所述像素電極層通過所述過孔與所述有源層連接。

所述金屬氧化物半導體層的材料為銦鎵鋅氧化物。

本發明實施例提供一種顯示裝置，包括具有上述任一特征的陣列基板。

本發明實施例提供一種陣列基板的制作方法，包括：

在基板上形成包括柵極的柵極層；

在所述柵極層上形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成包括源極的源極層；

在所述源極層和所述柵絕緣層上形成包括有源層的金屬氧化物半導體層，其中，所述源極與所述有源層直接接觸；

在所述金屬氧化物半導體層上形成像素電極層，其中，所述像素電極層與所述有源層直接接觸，且所述柵極對應于所述像素電極層與所述有源層接觸的接觸部與所述源極之間的位置。

在所述金屬氧化物半導體層上形成像素電極層之前，所述方法還包括：

在所述金屬氧化物半導體層上形成絕緣層。

在所述金屬氧化物半導體層上形成絕緣層之后，所述方法還包括：

在所述絕緣層內形成過孔，使得所述像素電極層通過所述過孔與所述有源層連接。

本發明實施例還提供一種陣列基板的制作方法，包括：

在基板上形成包括柵極的柵極層；

在所述柵極層上形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成包括源極的源極層和像素電極層；