[發(fā)明專利]陣列基板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310032587.X
• 申請(qǐng)日: 2013-01-28
• 公開（公告）號(hào): CN103094354A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王慧;徐向陽(yáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基板；

設(shè)置于所述基板上的包括柵極的柵極層；

設(shè)置于所述柵極層上的柵絕緣層；

設(shè)置于所述柵絕緣層上的包括源極的源極層；以及

設(shè)置于所述源極層和所述柵絕緣層上的包括有源層的金屬氧化物半導(dǎo)體層，其中，所述源極與所述有源層直接接觸；

與所述有源層直接接觸的像素電極層，

其中，所述柵極對(duì)應(yīng)于所述像素電極層與所述有源層接觸的接觸部與所述源極之間的位置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極層設(shè)置于所述金屬氧化物半導(dǎo)體層上，或者設(shè)置于所述金屬氧化物半導(dǎo)體層與所述柵絕緣層之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括：

設(shè)置于所述金屬氧化物半導(dǎo)體層上的絕緣層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述絕緣層內(nèi)形成有過(guò)孔，所述像素電極層通過(guò)所述過(guò)孔與所述有源層連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬氧化物半導(dǎo)體層的材料為銦鎵鋅氧化物。

6.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-5中任意一項(xiàng)所述的陣列基板。

7.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成包括柵極的柵極層；

在所述柵極層上形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成包括源極的源極層；

在所述源極層和所述柵絕緣層上形成包括有源層的金屬氧化物半導(dǎo)體層，其中，所述源極與所述有源層直接接觸；

在所述金屬氧化物半導(dǎo)體層上形成像素電極層，其中，所述像素電極層與所述有源層直接接觸，且所述柵極對(duì)應(yīng)于所述像素電極層與所述有源層接觸的接觸部與所述源極之間的位置。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述金屬氧化物半導(dǎo)體層上形成像素電極層之前，所述方法還包括：

在所述金屬氧化物半導(dǎo)體層上形成絕緣層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述金屬氧化物半導(dǎo)體層上形成絕緣層之后，所述方法還包括：

在所述絕緣層內(nèi)形成過(guò)孔，使得所述像素電極層通過(guò)所述過(guò)孔與所述有源層連接。

10.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成包括柵極的柵極層；

在所述柵極層上形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成包括源極的源極層和像素電極層；

在所述源極層、所述柵絕緣層和所述像素電極層上形成包括有源層的金屬氧化物半導(dǎo)體層，其中，所述源極與所述有源層直接接觸，所述像素電極層與金屬氧化物半導(dǎo)體層直接接觸，且所述柵極對(duì)應(yīng)于所述像素電極層與所述有源層接觸的接觸部與所述源極之間的位置。