[發明專利]利用原子層沉積技術在SERS基底上制備氧化物表面的方法

有效

• 申請號: 201310031849.0
• 申請日: 2013-01-29
• 公開（公告）號: CN103103494A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發明（設計）人: 李豐;潘革波;葛海雄
• 申請（專利權）人: 南京豐強納米科技有限公司
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40;C23C16/44
• 代理公司: 南京知識律師事務所 32207
• 代理人: 汪旭東

1.利用原子層沉積技術在SERS基底上制備氧化物表面的方法，包括如下步驟：其特征在于：

1）、將金屬SERS基底放在ALD室內；

2)?、根據沉積氧化物的種類，設置ALD沉積的工作參數；

3）、以脈沖形式向ALD工作室內通入包含氧化物中心元素的ALD前驅體化合物蒸汽；

4）、向ALD室內通入惰性沖洗氣體去除多余的ALD前驅體化合物蒸汽；

5）、以脈沖形式向ALD室內通入氧源蒸汽；

6）、向ALD室內通入惰性沖洗氣體脈沖去除多余的氧源蒸汽；

7）、重復3至6的步驟直至SERS基底達到所需的沉積厚度；

8）、根據沉積種類，調整ALD工作室溫度，從ALD工作室內取出SERS基底，得到SERS基底上的氧化物表面的厚度小于5?nm。

2.根據如權利要求1所述的利用原子層沉積技術在SERS基底上制備氧化物表面的方法，其特征在于：所述的步驟1）中的SERS基底包括金屬電極活性基底，金屬島膜活性基底，化學刻蝕和化學沉積的基底，富含結點的網格狀結構活性基底，有序組裝活性基底中的一種。

3.根據如權利要求1所述的利用原子層沉積技術在SERS基底上制備氧化物表面的方法，其特征在于：所述的步驟2）中的氧化物表面為氧化鈦，氧化鋅，氧化硅，氧化鋁，氧化鋯，氧化鍺，氧化返，氧化釔，氧化鑭，氧化錫中的一種。

4.根據如權利要求1所述的利用原子層沉積技術在SERS基底上制備氧化物表面的方法，其特征在于：所述的步驟3）中的含氧化物中心元素的ALD前驅體化合物蒸汽為易揮發的鹵化物，金屬有機化合物，金屬β二酮鹽、醇鹽、金屬烷氨基鹽、有機金屬環戊二烯化合物，金屬硝酸鹽中一種或兩種以上的混合物。

5.根據如權利要求1所述的利用原子層沉積技術在SERS基底上制備氧化物表面的方法，其特征在于：所述的步驟4）或步驟6）中通入的惰性沖洗氣體為高純氮氣或氬氣。

6.根據如權利要求1所述的利用原子層沉積技術在SERS基底上制備氧化物表面的方法，其特征在于：所述的步驟6）中的氧源為水、臭氧、醇、氮氧化合物、原子氧中的一種。