[發(fā)明專利]引線框及其制造方法和半導(dǎo)體裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310031813.2
• 申請(qǐng)日: 2013-01-28
• 公開（公告）號(hào): CN103227115B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宮尾仁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 新光電氣工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/48
• 分類號(hào): H01L21/48;H01L23/495;H01L21/56;H01L23/31
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11127
• 代理人: 李輝,黃綸偉

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及引線框及其制造方法和半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)

以往，在使用了引線框的半導(dǎo)體封裝中，在芯片安裝盤（die?pad）上安裝半導(dǎo)體元件，利用導(dǎo)線連接半導(dǎo)體元件和多個(gè)引線，并用密封樹脂密封芯片安裝盤的兩面、半導(dǎo)體元件以及導(dǎo)線。

在這樣的半導(dǎo)體封裝中，為了提高芯片安裝盤背面的密封樹脂的密合性，在芯片安裝盤的背面設(shè)置有多個(gè)凹部。芯片安裝盤的背面設(shè)置的凹部是通過沖壓加工按照四棱錐等形狀形成的，所以芯片安裝盤背面的密封樹脂的密合性未必充分。

【專利文獻(xiàn)1】

日本特開平7-161896號(hào)公報(bào)

【專利文獻(xiàn)2】

日本特開平7-273270號(hào)公報(bào)

【專利文獻(xiàn)3】

日本特開2009-260282號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供能夠提高芯片安裝盤的背面設(shè)置的密封樹脂的密合性的引線框及其制造方法和半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

根據(jù)以下公開的一個(gè)方面，提供如下這樣的引線框的制造方法，該制造方法具有以下工序：通過第1沖壓加工在芯片安裝盤的背面形成矩形狀的第1凹部，所述第1凹部在一方的相對(duì)的2邊具有在深度方向上傾斜的第1傾斜側(cè)面，在另一方的相對(duì)的2邊具有在深度方向上直立的直立側(cè)面；通過第2沖壓加工，以在所述第1凹部的所述直立側(cè)面的橫向區(qū)域中配置具有在深度方向上傾斜的第2傾斜側(cè)面的第2凹部的所述第2傾斜側(cè)面的方式，在所述芯片安裝盤的背面形成所述第2凹部，由此使得所述第1凹部的所述直立側(cè)面成為朝向與所述第1傾斜側(cè)面相反的方向傾斜的反向傾斜側(cè)面，所述芯片安裝盤的正面是半導(dǎo)體元件搭載面。

另外，根據(jù)所公開的另一方面，提供如下這樣的引線框，其具備：芯片安裝盤；矩形狀的第1凹部，其形成在所述芯片安裝盤的背面，在一方的相對(duì)的2邊具有在深度方向上傾斜的第1傾斜側(cè)面，在另一方的相對(duì)的2邊具有與所述第1傾斜側(cè)面相反方向的在深度方向上傾斜的反向傾斜側(cè)面；以及第2凹部，其形成在所述第1凹部的橫向區(qū)域的所述芯片安裝盤的背面，具有在深度方向上傾斜的第2傾斜側(cè)面，所述第2傾斜側(cè)面與所述第1凹部的所述反向傾斜側(cè)面相對(duì)地配置，所述芯片安裝盤的正面是半導(dǎo)體元件搭載面。

根據(jù)以下的公開，在引線框的制造方法中，通過第1沖壓加工，在芯片安裝盤的背面形成矩形狀的第1凹部，所述第1凹部在一方的相對(duì)的2邊具有第1傾斜側(cè)面，在另一方的相對(duì)的2邊具有直立側(cè)面。

接著，通過第2沖壓加工，以在第1凹部的直立側(cè)面的橫向區(qū)域中配置具有第2傾斜側(cè)面的第2凹部的第2傾斜側(cè)面的方式，形成第2凹部。由此，第1凹部的直立側(cè)面成為朝向與第1傾斜側(cè)面相反的方向傾斜的反向傾斜側(cè)面。

然后，在芯片安裝盤的正面安裝半導(dǎo)體元件，在芯片安裝盤的兩面?zhèn)刃纬蓸渲浚芊獍雽?dǎo)體元件。

此時(shí)，由于在芯片安裝盤的背面設(shè)置有具備反向傾斜側(cè)面的第1凹部，所以錨定效應(yīng)增強(qiáng)，能夠提高芯片安裝盤背面?zhèn)鹊臉渲康拿芎闲浴?/p>

此外，第1凹部在矩形狀的長(zhǎng)度方向上具有傾斜側(cè)面，所以，通過從第1凹部的長(zhǎng)度方向流入密封樹脂，能夠?qū)⒚芊鈽渲槙车靥畛涞降?凹部中。

附圖說明

圖1的(a)以及(b)是示出第1實(shí)施方式的引線框的制造方法的俯視圖以及剖視圖(之一)。

圖2是示出第1實(shí)施方式的引線框的制造方法的剖視圖以及立體圖(之二)。

圖3的(a)～(c)是示出第1實(shí)施方式的引線框的制造方法的俯視圖以及剖視圖(之三)。

圖4是示出第1實(shí)施方式的引線框的制造方法的剖視圖以及立體圖(之四)。

圖5的(a)～(c)是示出第1實(shí)施方式的引線框的制造方法的俯視圖以及剖視圖(之五)。

圖6是示出第1實(shí)施方式的引線框的俯視圖。

圖7是示出第1實(shí)施方式的變形例的引線框的俯視圖。

圖8的(a)以及(b)是示出使用圖6的引線框來制造半導(dǎo)體裝置的方法的俯視圖以及剖視圖(之一)。

圖9的(a)以及(b)是示出使用圖6的引線框來制造半導(dǎo)體裝置的方法的俯視圖以及剖視圖(之二)。

圖10是示出第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。

圖11是示出第2實(shí)施方式的引線框的制造方法的剖視圖以及立體圖(之一)。

圖12的(a)～(c)是示出第2實(shí)施方式的引線框的制造方法的俯視圖以及剖視圖(之二)。

圖13是示出第2實(shí)施方式的引線框的制造方法的剖視圖(之三)。