[發明專利]一種陣列基板及其制作方法、液晶顯示裝置

有效

• 申請號: 201310031370.7
• 申請日: 2013-01-28
• 公開（公告）號: CN103107134A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發明（設計）人: 徐傳祥;姚琪;齊永蓮;陸金波
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/02;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本發明涉及液晶顯示技術，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、液晶顯示裝置。

背景技術

薄膜場效應晶體管液晶顯示器（Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，TFT-LCD）由于其具有體積小、功耗低、無輻射等優點，是較為理想的顯示設備。近年來，TFT-LCD在顯示領域的應用范圍逐步擴大，相關的技術也發展迅速。

在現有技術中，高級超維場轉換技術ADS（Advanced?Super?Dimension?Switch）型TFT-LCD主要通過五次構圖工藝來完成，其中，薄膜場效應晶體管TFT溝道的形成須使用灰色調掩模板。但是，在實際應用中發現，使用灰色調掩模板形成TFT溝道圖案可控性差，工藝性能不穩定。

發明內容

本發明的目的是提供一種陣列基板及其制作方法、液晶顯示裝置，以解決現有工藝在制作TFT-LCD陣列基板的過程中，采用灰色調掩模板形成TFT溝道圖案可控性差，工藝性能不穩定的問題。

本發明的目的是通過以下技術方案實現的：

本發明實施例提供一種陣列基板的制造方法，步驟如下：

步驟1、提供一基板，在所述基板上形成第一導電薄膜，通過構圖工藝形成包括像素電極的圖案；

步驟2、在形成上述圖案的所述基板上形成金屬薄膜，通過構圖工藝形成包括公共電極線、柵電極線、數據線、源電極和漏電極的圖案；

步驟3、在形成上述圖案的所述基板上形成半導體層薄膜，通過構圖工藝形成包括半導體層的圖案；

步驟4、在形成上述圖案的所述基板上形成柵極絕緣層薄膜，通過構圖工藝形成包括柵極絕緣層和過孔的圖案；所述過孔的位置對應于所述柵電極線和所述公共電極線的位置，所述過孔露出部分所述柵電極線和公共電極線；

步驟5、在形成上述圖案的所述基板上形成第二導電薄膜，通過構圖工藝形成包括柵電極和公共電極的圖案；所述柵電極能過部分所述過孔與所述柵電極線連接，所述公共電極通過部分所述過孔與所述公共電極線連接。

優選的，所述步驟1，包括：

步驟11、在所述基板上形成所述第一導電薄膜；

步驟12、在所述第一導電薄膜上涂覆光刻膠；

步驟13、采用掩膜板對所述光刻膠進行曝光顯影，形成包括光刻膠完全保留區域和光刻膠完全剝離區域的光刻膠圖案，所述光刻膠完全保留區域對應所述像素電極的圖案；

步驟14、刻蝕所述光刻膠完全剝離區域的所述第一導電薄膜，形成包括所述像素電極的圖案；

步驟15、剝離所述光刻膠完全保留區域的所述光刻膠。

優選的，所述步驟2，包括：

步驟21、形成所述金屬薄膜；

步驟22、在所述金屬薄膜上涂覆光刻膠；

步驟23、采用掩膜板對所述光刻膠進行曝光顯影，形成包括光刻膠完全保留區域和光刻膠完全剝離區域的光刻膠圖案，所述光刻膠完全保留區域對應所述公共電極線、柵電極線、數據線、源電極和漏電極的圖案；

步驟24、刻蝕所述光刻膠完全剝離區域的所述金屬薄膜，形成包括所述公共電極線、柵電極線、數據線、源電極和漏電極的圖案；

步驟25、剝離所述光刻膠完全保留區域的所述光刻膠。

優選的，所述步驟3，包括：

步驟31、形成所述半導體層薄膜；

步驟32、在所述半導體層薄膜上涂覆光刻膠；

步驟33、采用掩膜板對所述光刻膠進行曝光顯影，形成包括光刻膠完全保留區域和光刻膠完全剝離區域的光刻膠圖案，所述光刻膠完全保留區域對應所述半導體層的圖案；

步驟34、刻蝕所述光刻膠完全剝離區域的所述半導體層薄膜，形成包括所述半導體層的圖案；

步驟35、剝離所述光刻膠完全保留區域的所述光刻膠。

優選的，所述半導體層薄膜為非晶硅薄膜和摻雜非晶硅薄膜；所述形成所述半導體層薄膜具體為：先形成所述非晶硅薄膜，后形成摻雜非晶硅薄膜。

優選的，所述半導體層薄膜為氧化物薄膜，所述氧化物薄膜為銦氧化物薄膜、鋅氧化物薄膜、錫氧化物薄膜或銦鎵鋅氧化物薄膜中的任一種薄膜。

優選的，所述步驟4，包括：

步驟41、形成所述柵極絕緣層薄膜；

步驟42、在所述柵極絕緣層薄膜上涂覆光刻膠；

步驟43、采用掩膜板對所述光刻膠進行曝光顯影，形成包括光刻膠完全保留區域和光刻膠完全剝離區域的光刻膠圖案，所述光刻膠完全保留區域對應所述柵極絕緣層和過孔的圖案；