[發明專利]一種陣列基板及其制作方法、液晶顯示裝置

有效

• 申請號: 201310031370.7
• 申請日: 2013-01-28
• 公開（公告）號: CN103107134A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發明（設計）人: 徐傳祥;姚琪;齊永蓮;陸金波
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/02;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，步驟如下：

步驟1、提供一基板，在所述基板上形成第一導電薄膜，通過構圖工藝形成包括像素電極的圖案；

步驟2、在形成上述圖案的所述基板上形成金屬薄膜，通過構圖工藝形成包括公共電極線、柵電極線、數據線、源電極和漏電極的圖案；

步驟3、在形成上述圖案的所述基板上形成半導體層薄膜，通過構圖工藝形成包括半導體層的圖案；

步驟4、在形成上述圖案的所述基板上形成柵極絕緣層薄膜，通過構圖工藝形成包括過孔的柵極絕緣層圖案；所述過孔的位置對應于所述柵電極線和所述公共電極線的位置，所述過孔露出部分所述柵電極線和公共電極線；

步驟5、在形成上述圖案的所述基板上形成第二導電薄膜，通過構圖工藝形成包括柵電極和公共電極的圖案；所述柵電極能過部分所述過孔與所述柵電極線連接，所述公共電極通過部分所述過孔與所述公共電極線連接。

2.如權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟1，包括：

步驟11、在所述基板上形成所述第一導電薄膜；

步驟12、在所述第一導電薄膜上涂覆光刻膠；

步驟13、采用掩膜板對所述光刻膠進行曝光顯影，形成包括光刻膠完全保留區域和光刻膠完全剝離區域的光刻膠圖案，所述光刻膠完全保留區域對應所述像素電極的圖案；

步驟14、刻蝕所述光刻膠完全剝離區域的所述第一導電薄膜，形成包括所述像素電極的圖案；

步驟15、剝離所述光刻膠完全保留區域的所述光刻膠。

3.如權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟2，包括：

步驟21、形成所述金屬薄膜；

步驟22、在所述金屬薄膜上涂覆光刻膠；

步驟23、采用掩膜板對所述光刻膠進行曝光顯影，形成包括光刻膠完全保留區域和光刻膠完全剝離區域的光刻膠圖案，所述光刻膠完全保留區域對應所述公共電極線、柵電極線、數據線、源電極和漏電極的圖案；

步驟24、刻蝕所述光刻膠完全剝離區域的所述金屬薄膜，形成包括所述公共電極線、柵電極線、數據線、源電極和漏電極的圖案；

步驟25、剝離所述光刻膠完全保留區域的所述光刻膠。

4.如權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟3，包括：

步驟31、形成所述半導體層薄膜；

步驟32、在所述半導體層薄膜上涂覆光刻膠；

步驟33、采用掩膜板對所述光刻膠進行曝光顯影，形成包括光刻膠完全保留區域和光刻膠完全剝離區域的光刻膠圖案，所述光刻膠完全保留區域對應所述半導體層的圖案；

步驟34、刻蝕所述光刻膠完全剝離區域的所述半導體層薄膜，形成包括所述半導體層的圖案；

步驟35、剝離所述光刻膠完全保留區域的所述光刻膠。

5.如權利要求4所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述半導體層薄膜為非晶硅薄膜和摻雜非晶硅薄膜；

所述形成所述半導體層薄膜具體為：先形成所述非晶硅薄膜，后形成摻雜非晶硅薄膜。

6.如權利要求4所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述半導體層薄膜為氧化物薄膜，所述氧化物薄膜為銦氧化物薄膜、鋅氧化物薄膜、錫氧化物薄膜或銦鎵鋅氧化物薄膜中的任一種薄膜。

7.如權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟4，包括：

步驟41、形成所述柵極絕緣層薄膜；

步驟42、在所述柵極絕緣層薄膜上涂覆光刻膠；

步驟43、采用掩膜板對所述光刻膠進行曝光顯影，形成包括光刻膠完全保留區域和光刻膠完全剝離區域的光刻膠圖案，所述光刻膠完全保留區域對應所述柵極絕緣層和過孔的圖案；

步驟44、刻蝕所述光刻膠完全剝離區域的所述柵極絕緣層薄膜，形成包括所述柵極絕緣層和過孔的圖案；

步驟45、剝離所述光刻膠完全保留區域的所述光刻膠。