[發明專利]一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201310031273.8
• 申請日: 2013-01-28
• 公開（公告）號: CN103091921A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 張明;郝昭慧;尹雄宣
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/417;H01L21/84;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板，包括：透明基板，交叉設置在所述透明基板上的柵線及數據線，設置在所述柵線及數據線限定的像素區域內的像素電極，其特征在于，

所述柵線內設置有凹槽，所述凹槽包括底面和側壁；

柵絕緣層設置在所述柵線上，覆蓋整個凹槽；

源極圖案和漏極圖案中的一個設置在所述柵絕緣層上，覆蓋所述凹槽底面，所述源極圖案和漏極圖案上下對照設置；源極圖案電連接數據線，所述漏極圖案電連接所述像素電極；

所述鈍化層至少覆蓋所述凹槽的部分側壁；所述有源層設置在所述源極圖案和所述漏極圖案之間，只覆蓋所述凹槽的底面，所述有源層頂端到所述透明基板的距離小于或等于所述柵線頂端到所述透明基板的距離，且所述有源層的側面與所述柵絕緣層和所述鈍化層相接觸。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括：所述漏極圖案與所述像素電極同層設置。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述漏極圖案與所述像素電極異層設置，所述漏極圖案設置在所述有源層與所述像素電極之間；所述漏極圖案的材料為不透光的金屬材料。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層包括：一層n+a-Si層，設置在所述n+a-Si層上的a-Si層以及設置在所述a-Si層上方的另一層n+a-Si層。

5.根據權利要求1-4所述的陣列基板，其特征在于，所述凹槽包括四個側壁：在所述凹槽所在的一段柵線的水平方向上的，相對的第一側壁和第二側壁；以及在所述凹槽所在的一段柵線的垂直方向上的，相對的第三側壁和第四側壁。

6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述源極圖案設置在所述柵絕緣層上，位于所述漏極圖案正下方，由所述數據線延伸而出覆蓋所述凹槽的第一側壁、第二側壁以及底面；

所述鈍化層設置在所述源極圖案上，所述鈍化層上設置有過孔，所述過孔在所述凹槽的底面正上方對應的區域，所述鈍化層覆蓋所述凹槽的第一側壁和第二側壁。

7.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述源極圖案設置在所述柵絕緣層上，位于所述漏極圖案正下方，由所述數據線延伸而出覆蓋所述凹槽的第一側壁以及底面；

所述鈍化層設置在所述源極圖案上，所述鈍化層上設置有過孔，所述過孔在所述凹槽的底面正上方對應的區域，所述鈍化層覆蓋所述凹槽的第一側壁。

8.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述漏極圖案設置在所述柵絕緣層上，位于所述源極圖案正下方，覆蓋所述凹槽的底面，所述漏極圖案通過設置在所述凹槽的第四側壁上的引線與所述像素電極相連；

所述鈍化層設置在所述像素電極上，所述鈍化層上設置有過孔，所述過孔在所述凹槽的底面正上方對應的區域，所述鈍化層覆蓋設置在所述凹槽的第四側壁上的引線。

9.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述漏極圖案設置在所述柵絕緣層上，位于所述源極圖案正下方，覆蓋所述凹槽的底面，所述漏極圖案通過所述凹槽的第一側壁上的引線與所述像素電極相連；

所述鈍化層設置在所述像素電極上，所述鈍化層上設置有過孔，所述過孔在所述凹槽的底面正上方對應的區域，所述鈍化層覆蓋設置在所述凹槽的第一側壁上的引線。

10.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上制作柵線和公共電極線，所述柵線內設置有凹槽，所述凹槽包括底面和側壁；

在形成柵線和公共電極線的基板上制作柵絕緣層，所述柵絕緣層覆蓋整個凹槽；

在形成所述柵絕緣層的基板上制作源極圖案，所述源極圖案由所述數據線延伸而出覆蓋所述凹槽的部分側壁以及底面；

在形成所述源極圖案的基板上制作帶有過孔的鈍化層，所述過孔在所述凹槽的底面正上方對應的區域，所述鈍化層覆蓋所述凹槽側壁上的源極圖案；

在形成所述鈍化層的基板上制作有源層，所述有源層位于所述鈍化層的過孔區域，覆蓋所述凹槽的底面，且所述有源層的側面與所述柵絕緣層和所述鈍化層相接觸；

在形成有源層的基板上制作漏極圖案和像素電極，所述漏極圖案覆蓋所述凹槽的底面，且所述漏極圖案與所述像素電極相連接。