[發明專利]場發射裝置

有效

• 申請號: 201310031010.7
• 申請日: 2010-05-20
• 公開（公告）號: CN103107054A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發明（設計）人: 柳鵬;周段亮;陳丕瑾;胡昭復;郭彩林;杜秉初;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司
• 主分類號: H01J3/02
• 分類號: H01J3/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本案是申請人在2010年5月20日申請的申請號為201010178218.8，名稱為“場發射裝置”的分案申請。

技術領域

本發明涉及一種場發射裝置。

背景技術

場發射裝置是場發射電子器件，如場發射顯示器的重要元件。

現有技術中的場發射裝置通常包括一絕緣基底；一設置于該絕緣基底上的陰極電極；多個設置于陰極電極上的電子發射體；一設置于該絕緣基底上的第一絕緣隔離層，所述第一絕緣隔離層具有通孔，所述電子發射體通過該通孔暴露，以使電子發射體發射的電子通過該通孔射出；以及一陽極電極，所述陽極電極與陰極電極間隔設置。當所述場發射裝置工作時，向陽極電極施加一高電位，向陰極電極施加一低電位。所以電子發射體發射的電子通過該通孔射陽極。

然而，電子發射體發射的電子會與真空中游離的氣體分子碰撞，從而使氣體分子電離產生離子。而且，該離子會向處于低電位的陰極電極方向運動。由于所述場發射裝置的電子發射體通過所述通孔暴露，所以該電子發射體很容易受到該離子的轟擊，從而導致電子發射體損壞。

發明內容

綜上所述，確有必要提供一種可以有效避免離子轟擊電子發射體的場發射裝置。

一種場發射裝置，其包括：一絕緣基底；一電子引出電極，該電子引出電極設置于該絕緣基底的一表面；一二次電子發射層，該二次電子發射層設置于該電子引出電極的表面；一陰極電極，該陰極電極通過一第一絕緣隔離層與該電子引出電極間隔設置，所述電子引出電極設置在陰極電極與絕緣基底之間，該陰極電極具有一表面至少部分與該電子引出電極面對設置，該陰極電極具有一第一開口，該第一開口定義一電子出射部；一電子發射層，該電子發射層設置在陰極電極面對該電子引出電極設置的部分表面；一陽極電極，該陽極電極與陰極電極間隔設置，且所述陰極電極設置在電子引出電極與陽極電極之間。

與現有技術相比，由于電子出射部形成于陰極電極上，電子發射體的電子發射端不會通過電子出射部暴露，所以當電子發射體發射的電子與真空中游離的氣體分子碰撞產生離子向電子引出電極方向運動時，該離子不會轟擊到該電子發射體，從而使該電子發射體具有較長壽命。

附圖說明

圖1為本發明第一實施例提供的場發射裝置的結構示意圖。

圖2為圖1的場發射裝置沿II-II線剖開后的俯視圖。

圖3為圖1的場發射裝置沿III-III線剖開后的仰視圖。

圖4為本發明第一實施例提供的場發射裝置的制備方法工藝流程圖。

圖5為本發明第二實施例提供的場發射裝置的結構示意圖。

圖6為本發明第三實施例提供的場發射裝置的結構示意圖。

圖7為本發明第四實施例提供的場發射裝置的結構示意圖。

圖8為本發明第五實施例提供的場發射裝置的結構示意圖。

主要元件符號說明