[發(fā)明專利]場發(fā)射裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310031010.7
• 申請(qǐng)日: 2010-05-20
• 公開（公告）號(hào): CN103107054A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 柳鵬;周段亮;陳丕瑾;胡昭復(fù);郭彩林;杜秉初;范守善
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司
• 主分類號(hào): H01J3/02
• 分類號(hào): H01J3/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種場發(fā)射裝置，其包括：

一絕緣基底；

一電子引出電極，該電子引出電極設(shè)置于該絕緣基底的一表面；

一二次電子發(fā)射層，該二次電子發(fā)射層設(shè)置于該電子引出電極的表面；

一陰極電極，該陰極電極通過一第一絕緣隔離層與該電子引出電極間隔設(shè)置，所述電子引出電極設(shè)置在陰極電極與絕緣基底之間，該陰極電極具有一表面至少部分與該電子引出電極面對(duì)設(shè)置，該陰極電極具有一第一開口，該第一開口定義一電子出射部；

一電子發(fā)射層，該電子發(fā)射層設(shè)置在陰極電極面對(duì)該電子引出電極設(shè)置的部分表面；

一陽極電極，該陽極電極與陰極電極間隔設(shè)置，且所述陰極電極設(shè)置在電子引出極與陽極電極之間。

2.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射裝置，其特征在于，所述陰極電極具有一通孔，該通孔作為所述電子出射部。

3.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射裝置，其特征在于，所述陰極電極包括多個(gè)相隔一定距離并設(shè)置在同一平面的條狀導(dǎo)電體，該多個(gè)條狀導(dǎo)電體之間的間隔作為所述電子出射部。

4.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射裝置，其特征在于，所述電子發(fā)射層設(shè)置在陰極電極的表面靠近電子出射部的位置。

5.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射裝置，其特征在于，所述電子發(fā)射層至少部分與所述二次電子發(fā)射層面對(duì)設(shè)置。

6.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射裝置，其特征在于，所述第一絕緣隔離層具有一第二開口對(duì)應(yīng)于所述陰極電極的第一開口設(shè)置，所述陰極電極的第一開口與第一絕緣隔離層的第二開口部分交疊設(shè)置，交疊部分定義為電子出射部。

7.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射裝置，其特征在于，所述電子發(fā)射層包括多個(gè)電子發(fā)射體，且該電子發(fā)射體為碳納米管、納米碳纖維以及硅納米線中的一種或多種。

8.如權(quán)利要求7所述的場發(fā)射裝置，其特征在于，所述電子發(fā)射體具有一電子發(fā)射端，且該電子發(fā)射端指向所述二次電子發(fā)射層。

9.如權(quán)利要求8所述的場發(fā)射裝置，其特征在于，所述二次電子發(fā)射層表面與電子出射部相對(duì)的位置具有至少一第一突起，所述陰極電極與二次電子發(fā)射層相對(duì)的表面具有至少一第二突起，所述電子發(fā)射層設(shè)置于該至少一第二突起的表面，且所述電子發(fā)射體的電子發(fā)射端指向該至少一第一突起的表面。

10.如權(quán)利要求8所述的場發(fā)射裝置，其特征在于，所述電子發(fā)射端與二次電子發(fā)射層相對(duì)于電子發(fā)射端的表面的最大距離小于電子與氣體分子的平均自由程。

11.如權(quán)利要求10所述的場發(fā)射裝置，其特征在于，所述電子發(fā)射端與二次電子發(fā)射層相對(duì)于電子發(fā)射端的表面的最大距離為10微米~30微米。

12.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射裝置，其特征在于，所述陽極電極為一導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層由氧化銦錫、金屬和碳納米管中的一種組成。

13.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射裝置，其特征在于，所述電子引出電極的電位高于陰極電極的電位，所述陽極電極的電位高于電子引出電極的電位。