[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制作方法和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310030815.X | 申請日: | 2013-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN103117283A | 公開(公告)日: | 2013-05-22 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王本蓮;栗曉;代磊;韓靜;楊永菊;蔡科 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,包括:基板;位于所述基板上的柵極、柵線和位于所述柵線之間的第一柵線引線;覆蓋所述柵極、柵線和所述第一柵線引線的柵絕緣層;位于所述柵絕緣層上方的有源層、源極、漏極和數據線;覆蓋所述有源層、源極、漏極和數據線的鈍化層;位于所述鈍化層上方的像素電極圖形,所述像素電極圖形通過鈍化層上的過孔與所述漏極導通;其特征在于,還包括:
所述柵線將與所述柵線交叉排列的第一柵線引線隔開;
所述第一柵線引線包括信號傳輸區(qū)域和位于所述信號傳輸區(qū)域兩端的連接區(qū)域,其中所述信號傳輸區(qū)域與所述數據線平行且位于所述數據線下方,所述連接區(qū)域位于所述數據線區(qū)域的一側;被所述柵線隔開的兩段所述第一柵線引線相鄰的連接區(qū)域被與所述像素電極圖形同層形成的第二柵線引線通過過孔導通,所述過孔在所述鈍化層和所述柵絕緣層上;所述柵線通過所述柵線與所述柵線對應的第一柵線引線交叉處上方所述柵絕緣層和鈍化層上的過孔與所述第二柵線引線導通,其中所述第二柵線引線與所述第一柵線引線導通構成柵線引線與對應的柵線導通。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述柵線和所述第一柵線引線由同一層導電材料通過一次構圖工藝形成。
3.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第二柵線引線和所述像素電極圖形由同一層導電材料通過一次構圖工藝形成。
4.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一柵線引線的信號傳輸區(qū)域的寬度與所述數據線的寬度相同。
5.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一柵線引線上的連接區(qū)域位于所述數據線的同一側。
6.一種陣列基板的制作方法,其特征在于,包括:
在基板上形成一層導電材料層通過構圖工藝形成柵極、柵線和第一柵線引線;
制作覆蓋所述柵極、柵線和所述第一柵線引線的柵絕緣層;
在所述柵絕緣層上形成有源層、源極、漏極和數據線;
制作覆蓋所述有源層、源極、漏極和數據線的鈍化層;
在所述漏極上方的鈍化層上形成第一過孔,在所述柵線與所述柵線對應的第一柵線引線交叉位置的鈍化層上形成第二過孔,在所述第一柵線引線的連接區(qū)域上方的柵絕緣層和鈍化層上形成第三過孔;
在所述鈍化層上形成一層透明導電材料層,通過構圖工藝形成像素電極圖形和第二柵線引線;
其中,所述第二柵線引線通過第三過孔將被所述柵線隔開的兩段所述第一柵線引線相鄰的連接區(qū)域導通,所述第二柵線引線通過所述第二過孔與對應的柵線導通,所述第二柵線引線與所述第一柵線引線導通構成柵線引線與對應的柵線導通。
7.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求1~5任一項所述的陣列基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





