[發明專利]薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置

無效

• 申請號: 201310030534.4
• 申請日: 2013-01-25
• 公開（公告）號: CN103107095A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發明（設計）人: 劉政;任章淳
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置。

背景技術

隨著顯示技術的不斷進步，用戶對顯示裝置的需求不斷增加，TFT-LCD(Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display，薄膜場效應晶體管液晶顯示器)也在手機、液晶顯示器、平板電腦等產品中得到了廣泛的應用。此外，隨著顯示裝置的不斷普及，人們對于顯示裝置的色彩質量、對比度、可視角度、響應速度、低功耗的需求也日益增長，于是，OLED(Organic?Light-Emitting?Diode，薄膜場效應晶體管有機發光二極管)顯示器也開始逐漸進入了用戶的視野。

LTPS-TFT(Low?Temperature?Polycrystal?line?Silicon-ThinFilm?Transistor，低溫多晶硅薄膜場效應晶體管)由于其低溫多晶硅的原子排列規則、遷移率高、器件尺寸小且驅動能力高等優點，被廣泛用于高分辨率的TFT-LCD和電流型驅動的TFT-OLED中。

但是，現有技術在制作LTPS-TFT時，由于需要準分子激光晶化、離子注入、摻雜粒子激活等工藝，通常需要進行8-12次光刻掩膜工藝才能制作完成該LTPS-TFT，因此，在研發和大規模量產上耗時時間長，并且工藝難于控制，制作成本較高。

發明內容

本發明的實施例提供一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置，能夠減少制作LTPS-TFT所需的光刻掩膜工藝的次數，縮短研發和大規模量產的時間，降低工藝復雜度和監控難度，并降低制作成本。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

本發明實施例提供一種薄膜晶體管的制作方法，包括：

在基板上形成對應于有源層區域及存儲電容下電極區域的多晶硅層；

采用一次構圖工藝和一次摻雜工藝形成有源層重摻雜區和存儲電容下電極。

所述在所述多晶硅層上形成掩膜層之前，所述方法還包括：

在所述多晶硅層上形成柵絕緣層。

所述在形成有源層及存儲電容下電極之后，所述方法還包括：

在所述柵絕緣層上形成柵極和存儲電容上電極；

在所述柵極和存儲電容上電極上形成絕緣層；

處理所述基板，以使得所述有源層及存儲電容下電極發生離子激活反應和氫化反應。

所述在所述有源層及存儲電容下電極發生離子激活反應和氫化反應之后，所述方法還包括：

在所述絕緣層上形成有機平坦層；

在所述有機平坦層、絕緣層和柵絕緣層內形成過孔；

在所述有機平坦層上形成像素電極層。

所述方法還包括：

在所述像素電極層上形成像素定義層。

所述方法還包括：

采用一次構圖工藝和摻雜工藝在所述有源層形成輕摻雜區域。

所述在基板上形成對應于有源層區域及存儲電容下電極區域的多晶硅層的方法，具體包括：

在所述基板上形成非晶硅薄膜；

將所述非晶硅薄膜轉化為多晶硅薄膜；

形成所述對應于有源層區域及存儲電容下電極區域的多晶硅層。

將所述非晶硅薄膜轉化為多晶硅薄膜的方法，具體包括：

采用準分子激光晶化工藝、金屬誘導晶化工藝、固相晶化工藝中一種或多種的組合，將所述非晶硅薄膜轉化為多晶硅薄膜。

本發明實施例提供一種薄膜晶體管，包括：

基板；

設置于所述基板上的有源層及電容下電極，所述有源層的重摻雜區域與所述電容下電極的材料相同。

所述薄膜晶體管還包括：

設置于所述多晶硅層上的柵絕緣層。

所述薄膜晶體管還包括：

設置于所述柵絕緣層上的柵極和存儲電容上電極；

設置于所述柵極和存儲電容上電極上的絕緣層。

所述薄膜晶體管還包括：

設置于所述絕緣層上的有機平坦層；

所述有機平坦層、絕緣層和柵絕緣層內形成有過孔；

設置于所述有機平坦層上的像素電極。

所述薄膜晶體管還包括：

設置于所述像素電極層上的像素定義層。

所述薄膜晶體管的有源層還包括輕摻雜區域。

本發明實施例提供一種陣列基板，包括具有上述任一特征的薄膜晶體管。

本發明實施例還提供一種顯示裝置，包括具有上述任一特征的陣列基板。