[發明專利]薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置

無效

• 申請號: 201310030534.4
• 申請日: 2013-01-25
• 公開（公告）號: CN103107095A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發明（設計）人: 劉政;任章淳
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成對應于有源層區域及存儲電容下電極區域的多晶硅層；

采用一次構圖工藝和一次摻雜工藝形成有源層重摻雜區和存儲電容下電極。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述在所述多晶硅層上形成掩膜層之前，所述方法還包括：

在所述多晶硅層上形成柵絕緣層。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述在形成有源層及存儲電容下電極之后，所述方法還包括：

在所述柵絕緣層上形成柵極和存儲電容上電極；

在所述柵極和存儲電容上電極上形成絕緣層；

處理所述基板，以使得所述有源層及存儲電容下電極發生離子激活反應和氫化反應。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述在所述有源層及存儲電容下電極發生離子激活反應和氫化反應之后，所述方法還包括：

在所述絕緣層上形成有機平坦層；

在所述有機平坦層、絕緣層和柵絕緣層內形成過孔；

在所述有機平坦層上形成像素電極。

5.根據權利要求4所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述像素電極層上形成像素定義層。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，還包括采用一次構圖工藝和摻雜工藝在所述有源層形成輕摻雜區域。

7.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述在基板上形成對應于有源層區域及存儲電容下電極區域的多晶硅層的方法，具體包括：

在所述基板上形成非晶硅薄膜；

將所述非晶硅薄膜轉化為多晶硅薄膜；

形成所述對應于有源層區域及存儲電容下電極區域的多晶硅層。

8.根據權利要求7所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，將所述非晶硅薄膜轉化為多晶硅薄膜的方法，具體包括：

采用準分子激光晶化工藝、金屬誘導晶化工藝、固相晶化工藝中一種或多種的組合，將所述非晶硅薄膜轉化為多晶硅薄膜。

9.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

基板；

設置于所述基板上的有源層及存儲電容下電極，所述有源層的重摻雜區域與所述存儲電容下電極的材料相同。

10.根據權利要求9所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括：

設置于所述多晶硅層上的柵絕緣層。

11.根據權利要求10所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括：

設置于所述柵絕緣層上的柵極和存儲電容上電極；

設置于所述柵極和存儲電容上電極上的絕緣層。

12.根據權利要求11所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括：

設置于所述絕緣層上的有機平坦層；

所述有機平坦層、絕緣層和柵絕緣層內形成有過孔；

設置于所述有機平坦層上的像素電極。

13.根據權利要求12所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括：

設置于所述像素電極層上的像素定義層。

14.根據權利要求9所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管的有源層還包括輕摻雜區域。

15.一種陣列基板，其特征在于，包括如權利要求9-14任意一項所述的薄膜晶體管。

16.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求15所述的陣列基板。