[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201310030030.2 | 申請日: | 2013-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN103117248A | 公開(公告)日: | 2013-05-22 |
| 發明(設計)人: | 舒適;惠官寶;齊永蓮;徐傳祥;劉陸 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 王瑩 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板制作方法,其特征在于,包括步驟:
在基板上形成包括薄膜晶體管及保護層的圖形;
通過一次掩膜工藝形成包括過孔及覆蓋所述薄膜晶體管對應區域的遮光層的圖形;
形成包括彩膜及像素電極的圖形。
2.如權利要求1所述的陣列基板制作方法,其特征在于,所述通過一次掩膜工藝形成包括覆蓋所述薄膜晶體管區域的遮光層及過孔的圖形具體包括:
在形成薄膜晶體管和保護層的基板上形成遮光材料薄膜,并在所述遮光材料薄膜上形成光刻膠;
通過雙調掩膜板對所述光刻膠進行曝光顯影,使所述薄膜晶體管對應區域的光刻膠完全保留,所述過孔對應區域的光刻膠完全去除,其它區域的光刻膠部分保留。
依次刻蝕掉過孔對應區域的遮光材料薄膜和所述保護層以形成所述過孔;
對光刻膠進行灰化,灰化掉部分保留的光刻膠,以暴露出非所述薄膜晶體管對應區域的遮光材料薄膜;
刻蝕掉暴露出的遮光材料薄膜,并去除剩余的光刻膠,以形成所述遮光層。
3.如權利要求1或2所述的陣列基板制作方法,其特征在于,所述遮光層完全覆蓋所述薄膜晶體管的有源層圖形。
4.如權利要求1所述的陣列基板制作方法,其特征在于,所述形成包括彩膜及像素電極的圖形的步驟具體包括:
通過構圖工藝形成像素電極的圖形,所述像素電極通過所述過孔連接所述薄膜晶體管;
通過構圖工藝形成彩膜的圖形。
5.如權利要求1所述的陣列基板制作方法,其特征在于,所述形成包括彩膜及像素電極的圖形的步驟具體包括:
通過構圖工藝形成彩膜的圖形;
通過構圖工藝形成像素電極的圖形,所述像素電極通過所述過孔連接所述薄膜晶體管。
6.如權利要求1所述的陣列基板制作方法,其特征在于,在形成包括彩膜及像素電極的圖形之前還包括形成公共電極線的圖形,所述形成包括彩膜及像素電極的圖形具體包括:
通過構圖工藝形成像素電極的圖形,所述像素電極通過所述過孔連接所述薄膜晶體管;
通過構圖工藝形成彩膜的圖形;
通過構圖工藝形成梳狀公共電極的圖形,使所述梳狀公共電極連接所述公共電極線。
7.一種由權利要求1~6中任一項所述的陣列基板制作方法制作的陣列基板。
8.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求7所述的陣列基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





