[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201310030030.2
• 申請日: 2013-01-25
• 公開（公告）號: CN103117248A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發明（設計）人: 舒適;惠官寶;齊永蓮;徐傳祥;劉陸
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術

液晶顯示面板包括兩片玻璃基板：陣列基板（Array基板）和彩膜基板（Color?Filter，CF），其中陣列基板上包括薄膜晶體管（TFT）器件和周邊電路，彩膜基板包括R、G、B顏色層，再將兩片基板對盒。由于對盒時存在偏差，需要增大黑矩陣（BM）的設計線寬以避免對盒偏差造成漏光，而增大的BM的設計線寬就自然降低了開口率，影響顯示效果。

COA（Color?Filter?Process?on?Array）結構可以改善解決對盒導致的上述問題，即在TFT器件制作完成的Array基板上制作彩色濾光層及隔墊物層等。一般COA的工藝順序為TFT→保護層（PVX）→過孔→RGB→樹脂平坦層→導電層；或者TFT→保護層（PVX）→RGB→樹脂平坦層→過孔→導電層。無論是以上那種工藝順序，在制作樹脂平坦層時都要進行后曝光，且曝光量較大，大曝光量對有源層（a-si或氧化物TFT）有損壞，會影響TFT特性，降低顯示品質。目前的一種解決方法就是增加一步Mask工藝制作遮光層，用遮光層擋住陣列基板是的TFT區域，避免了在制作樹脂平坦層時大量曝光對TFT的有源層的影響。

但增加一步Mask會使成本大幅增加。因此有必要開發低成本制作遮光層的工藝。

發明內容

（一）要解決的技術問題

本發明要解決的技術問題是：如何低成本實現制作TFT遮光層的工藝。

（二）技術方案

為解決上述技術問題，本發明提供了一種陣列基板制作方法，包括步驟：

在基板上形成包括薄膜晶體管及保護層的圖形；

通過一次掩膜工藝形成包括過孔及覆蓋所述薄膜晶體管對應區域的遮光層的圖形；

形成包括彩膜及像素電極的圖形。

其中，所述通過一次掩膜工藝形成包括覆蓋所述薄膜晶體管區域的遮光層及過孔的圖形具體包括：

在形成薄膜晶體管和保護層的基板上形成遮光材料薄膜，并在所述遮光材料薄膜上形成光刻膠；

通過雙調掩膜板對所述光刻膠進行曝光顯影，使所述薄膜晶體管對應區域的光刻膠完全保留，所述過孔對應區域的光刻膠完全去除，其它區域的光刻膠部分保留。

依次刻蝕掉過孔對應區域的遮光材料薄膜和所述保護層以形成所述過孔；

對光刻膠進行灰化，灰化掉部分保留的光刻膠，以暴露出非所述薄膜晶體管對應區域的遮光材料薄膜；

刻蝕掉暴露出的遮光材料薄膜，并去除剩余的光刻膠，以形成所述遮光層。

其中，所述遮光層完全覆蓋所述薄膜晶體管的有源層圖形。

其中，所述形成包括彩膜及像素電極的圖形的步驟具體包括：

通過構圖工藝形成像素電極的圖形，所述像素電極通過所述過孔連接所述薄膜晶體管；

通過構圖工藝形成彩膜的圖形。

其中，所述形成包括彩膜及像素電極的圖形的步驟具體包括：

通過構圖工藝形成彩膜的圖形；

通過構圖工藝形成像素電極的圖形，所述像素電極通過所述過孔連接所述薄膜晶體管。

其中，在形成包括彩膜及像素電極的圖形之前還包括形成公共電極線的圖形，所述形成包括彩膜及像素電極的圖形具體包括：

通過構圖工藝形成像素電極的圖形，所述像素電極通過所述過孔連接所述薄膜晶體管；

通過構圖工藝形成彩膜的圖形；

通過構圖工藝形成梳狀公共電極的圖形，使所述梳狀公共電極連接所述公共電極線。

本發明還提供了一種由上述的陣列基板制作方法制作的陣列基板。

本發明還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。

（三）有益效果

本發明通過在一次mask工藝過程中形成了遮光層及過孔，相對與現有的制作工藝減少了一次mask工藝，從而節省了陣列基板制作工序及成本。

附圖說明

圖1是本發明實施例的陣列基板制作方法中在基板上形成薄膜晶體管和保護層的結構示意圖；

圖2是在圖1的基礎上形成遮光材料薄膜和光刻膠的結構示意圖；

圖3是在圖2的基礎上對光刻膠曝光顯影后的結構示意圖；

圖4是在圖3的基礎上刻蝕掉過孔區域對應的遮光材料薄膜后的結構示意圖；

圖5是在圖4的基礎上刻蝕掉過孔區域對應的保護層材料形成過孔后的結構示意圖；

圖6是在圖5的基礎上灰化掉非薄膜晶體管對應區域的光刻膠后的結構示意圖；