[發明專利]一種多曝光視場拼接系統和方法

有效

• 申請號: 201310029993.0
• 申請日: 2013-01-25
• 公開（公告）號: CN103969958A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 武珩
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

技術領域

本發明涉及半導體領域，特別涉及一種多曝光視場拼接系統和方法。

背景技術

在半導體制造過程中，光刻機要加大液晶面板的曝光尺寸，可以通過增大單個光學系統視場，也可以使用多個小型局部投影光學系統來代替單個大型投影光學系統的方法。

在現有技術中，使用多個小型局部投影光學系統來代替單個大型投影光學系統的方法可以不斷增加拼接視場的數量來實現高世代大尺寸面板的需求，同時又可對掩膜、基板的變形進行分區域的補償來提高像質，因此具有明顯的優勢，也被廣泛應用。

專利號為JPA2001337463，名稱為“露光裝置、露光裝置的制造方法”中公開了一種曝光系統，采用了多個相同的曝光子系統進行拼接，且各個曝光子系統形成的曝光視場大小均相同。

專利號為US5579147，名稱為“Scanning light exposure apparatus”中公開了一種曝光系統，同樣采用了多個相同的曝光子系統進行拼接，且各個曝光子系統形成的曝光視場大小均相同。

在現有技術中，各個曝光子系統形成的曝光視場大小均相同，拼接方法單一，無法根據使用需求進行組合。

發明內容

本發明提供了一種多曝光視場拼接系統和方法，解決了在拼接數量不變的前提下，相同大小曝光視場拼接方法單一，無法根據使用需求進行組合的問題。

本發明為解決其技術問題所采用的技術方案在于：

一種多曝光視場拼接系統，包括：

掩膜，所述掩膜上設有大小不同的圖像；

多個照明單元，所述多個照明單元照射所述掩膜上的圖像以形成多個成像單元，每個成像單元包括一個曝光視場；

基板，將多個曝光視場在基板上拼接形成拼接視場；其中，

所述曝光視場包括：曝光視場PA，對應曝光視場寬度PA，曝光視場PB，對應曝光視場寬度PB，曝光視場PC，對應曝光視場寬度PC，其中，PA>PB>PC；寬度PA=寬度PB=寬度PC。

可選的，所述曝光視場為梯形曝光視場。

可選的，在所述的多曝光視場拼接方法中，所述曝光視場的數量為N個，N為自然數，N大于等于5且N不為4的倍數。

可選的，在所述的多曝光視場拼接方法中，所述PA、PB和PC滿足PB=（PA+PC）/2。

可選的，在所述的多曝光視場拼接方法中，當所述曝光視場的數量N為奇數時，按下述公式將所述曝光視場拼接形成三種不同的拼接視場：

(N-1)/4*PA+(N+1)/2*PB+(N-1)/4*PC；

(N-1)/4*PA+(N-1)/2*PB+((N-1)/4+1)*PC；

((N-1)/4+1)*PA+(N-1)/2*PB+(N-1)/4*PC。

可選的，在所述的多曝光視場拼接方法中，所述曝光視場的數量N為偶數時，按下述公式將所述曝光視場拼接形成二種不同的拼接視場：

(N/4+1/2)*PA+N/2*PB+(N/4-1/2)*PC；

(N/4-1/2)*PA+N/2*PB+(N/4+1/2)*PC。

同時，本發明還提供一種采用所述的曝光視場拼接系統的多曝光視場拼接方法，包括：

在掩膜上設置大小不同的圖像；

通過多個照明單元照射所述掩膜上的圖像形成多個成像單元，每個成像單元包括一個曝光視場；

將所述多個曝光視場在基板上拼接形成拼接視場；其中，

所述曝光視場包括：曝光視場PA，對應曝光視場寬度PA，曝光視場PB，對應曝光視場寬度PB，曝光視場PC，對應曝光視場寬度PC，其中，PA>PB>PC，寬度PA=寬度PB=寬度PC。

可選的，所述曝光視場為梯形曝光視場。

可選的，在所述的多曝光視場拼接方法，所述曝光視場的數量為N個，N為自然數，N大于等于5且N不為4的倍數。

可選的，在所述的多曝光視場拼接方法，所述PA、PB和PC滿足PB=（PA+PC）/2。

可選的，在所述的多曝光視場拼接方法，當所述曝光視場的數量N為奇數時，按下述公式將所述曝光視場拼接形成三種不同的拼接視場：

(N-1)/4*PA+(N+1)/2*PB+(N-1)/4*PC；

(N-1)/4*PA+(N-1)/2*PB+((N-1)/4+1)*PC；

((N-1)/4+1)*PA+(N-1)/2*PB+(N-1)/4*PC。