[發明專利]一種MgO納米帶-C納米管復合材料的制備方法無效
| 申請號: | 201310028460.0 | 申請日: | 2013-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN103073033A | 公開(公告)日: | 2013-05-01 |
| 發明(設計)人: | 李明吉;王秀鋒;李紅姬;狄海榮;曲長慶 | 申請(專利權)人: | 天津理工大學 |
| 主分類號: | C01F5/06 | 分類號: | C01F5/06;C01B31/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 天津佳盟知識產權代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
| 地址: | 300384 天津市西青*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 mgo 納米 復合材料 制備 方法 | ||
1.一種MgO納米帶-C納米管復合材料的制備方法,其特征在于:采用射頻等離子體增強CVD系統制備,步驟如下:
1)將六水合硝酸鎳和六水合硝酸鎂溶于乙醇中,制得混合溶液作為催化劑前驅體;
2)將上述混合溶液均勻滴涂在基片上,置于紅外燈下烘干,然后放于射頻等離子體增強CVD系統沉積室的沉積臺上;
3)關閉沉積室并抽真空,當真空度小于0.1Pa時,通入流量為5-200mL/min的保護氣體和10-300mL/min的H2,當壓強回升至100-1000Pa時,將樣品臺在350-1000℃的條件下加熱0.5-2.5小時,使前驅物熱分解形成MgO和NiO;
4)施加50-500W的射頻功率,在氫等離子體的作用下還原NiO,還原時間為0.5-2.5小時,形成Ni納米金屬顆粒,獲得MgO納米帶-C納米管復合材料生長所需的Ni-MgO催化體系;
5)通入氣體流量為10-200mL/min的碳源氣體,在壓強為20-1000Pa、襯底溫度為300-1000℃條件下,施加射頻功率50-500W,反應0.5-4.5個小時,連續生長即可制得MgO納米帶-C納米管復合材料。
2.根據權利要求1所述MgO納米帶-C納米管復合材料的制備方法,其特征在于:所述混合溶液中六水合硝酸鎳和六水合硝酸鎂的摩爾比為10-1:1-10,六水合硝酸鎳和六水合硝酸鎂的總量與乙醇的用量比為0.1-2mol/L。
3.根據權利要求1所述MgO納米帶-C納米管復合材料的制備方法,其特征在于:所述基片為硅、玻璃或石英。
4.根據權利要求1所述MgO納米帶-C納米管復合材料的制備方法,其特征在于:所述保護氣體為氬氣或氦氣。
5.根據權利要求1所述MgO納米帶-C納米管復合材料的制備方法,其特征在于:所述碳源氣體為甲烷、乙炔或乙烯。
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