[發明專利]包括場效應晶體管結構的集成電路及其制造和操作方法

有效

• 申請號: 201310028191.8
• 申請日: 2013-01-25
• 公開（公告）號: CN103227172B
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: C.卡多
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/40;H01L29/423;H01L21/82
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 王岳,劉春元

背景技術

包括用于開關外部負載的功率晶體管的集成電路可以包括場電極，該場電極被電容性耦合到功率晶體管的漂移區段。場電極可以被電連接到功率晶體管的源極區域以實現低柵極到漏極電容Cgd。在另一方面，功率晶體管傾向于可以導致集成電路故障的快速瞬時電壓脈沖。

針對在集成電路的端子處的瞬時電壓脈沖改進開關特性和電阻是期望的。

發明內容

根據一個實施例，一種集成電路包括第一和第二場效應晶體管結構。第一場效應晶體管結構包括第一柵電極結構和第一場電極結構。第二場效應晶體管結構包括第二柵電極結構和第二場電極結構。第一和第二柵電極結構被相互電分離。

在閱讀以下詳細說明時并且在查看附圖時，本領域技術人員將會認識到另外的特征和優點。

附圖說明

附圖被包括以提供對本發明的進一步的理解并且被結合在本說明書中并且構成它的一個部分。附圖示意本發明的實施例并且與說明書一起用于解釋本發明的原理。將容易理解本發明的其它實施例和預期優點中的很多優點，因為通過參考以下詳細說明，它們變得更好理解。附圖的元件并不是必要地相對于彼此成比例。類似的附圖標記標注相應的類似的部分。

圖1A是根據一個實施例的帶有第一和第二場效應晶體管結構的集成電路的概略電路圖。

圖1B是根據通過pn結提供有源區分離的一個實施例的帶有第一和第二場效應晶體管結構的集成電路的一個部分的概略截面視圖。

圖2A是包括帶有第一場效應晶體管結構的第一有源區和帶有第二場效應晶體管結構的兩個有源區的集成電路的概略平面視圖。

圖2B是根據提供溝槽結構來分離有源區的一個實施例的帶有第一和第二場效應晶體管結構的集成電路的一個部分的概略截面視圖。

圖3是根據帶有用于驅動被施加到場和柵電極結構的信號的驅動電路的一個實施例的帶有第一和第二場效應晶體管結構的集成電路的概略電路圖。

圖4是根據提供被分離的源電極的一個實施例的集成電路的一個部分的概略截面視圖。

圖5是根據一個實施例的包括多個第一場效應晶體管結構的集成電路的一個部分的概略截面視圖。

圖6是用于示意根據進一步實施例的制造帶有第一和第二場效應晶體管結構的集成電路的方法的簡化流程圖。

具體實施方式

在以下詳細說明中，對于附圖進行參考，所述附圖形成它的一個部分并且在所述附圖中通過示意方式示出可以在其中實踐本發明的具體實施例。要理解，可以利用其它實施例并且可以作出結構或者邏輯變化而不偏離本發明的范圍。例如，作為一個實施例的部分示意或者描述的特征能夠與其它實施例相結合地使用以給出更進一步的實施例。本發明旨在包括這種修改和變化。使用具體語言描述了實例，這不應該被理解為限制所附權利要求的范圍。附圖未按比例并且僅僅是為了示意性的意圖。為了清楚起見，如果未另有敘述的話，則在不同的附圖中，相同的元件或者制造過程由相同的附圖標記標注。

如在本說明書中采用地，術語“電耦合”并非意在意指元件必須被直接地耦合到一起。相反，可以在“電耦合”的元件之間提供居間的元件。作為一個實例，無任何的、部分的或者所有的居間的元件（一個或者多個）可以是可控的以在“電耦合”的元件之間提供低歐姆連接和在另一個時間提供非低歐姆連接。術語“電連接”旨在描述在被電連接到一起的元件之間的低歐姆電連接，例如，經由金屬和/或高摻雜半導體的連接。

某些圖通過指示靠近摻雜類型的“^–”或者“⁺”而指代相對摻雜濃度。例如，“n^-”意味著小于“n”摻雜區域的摻雜濃度的摻雜濃度，而“n⁺”摻雜區域具有比“n”摻雜區域更大的摻雜濃度。相同的相對摻雜濃度的摻雜區域可以具有或者可以不具有相同的絕對摻雜濃度。例如，兩個不同的n⁺摻雜區域能夠具有不同的絕對摻雜濃度。這同樣例如適用于n^-摻雜和p⁺摻雜區域。

術語諸如“第一”、“第二”等用于描述各種結構、元件、區域、片段等而非旨在是限制性的。貫穿本說明書，類似的術語指代類似的元件。

術語“具有”、“含有”、“包含”、“包括”等是開放式的并且該術語指示所陳述的元件或者特征的存在，但是并不排除另外的元件或者特征。冠詞“一”、“一個”和“該”旨在包括復數以及單數，除非上下文清楚地另有指示。