[發明專利]包括場效應晶體管結構的集成電路及其制造和操作方法

有效

• 申請號: 201310028191.8
• 申請日: 2013-01-25
• 公開（公告）號: CN103227172B
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: C.卡多
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/40;H01L29/423;H01L21/82
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 王岳,劉春元

1.一種包括半導體管芯的集成電路，包括：

包括第一柵電極結構、第一場電極結構和第一漏極區段片段的第一場效應晶體管結構；和

包括第二柵電極結構、第二場電極結構和第二漏極區段片段的第二場效應晶體管結構；其中

第一和第二柵電極結構被相互電分離；并且

第一和第二場電極結構被相互電分離，以及

所述第一和第二漏極區段片段在所述半導體管芯中形成毗鄰漏極區段;

其中所述第二場電極結構被電耦合到所述第二柵電極結構。

2.根據權利要求1所述的集成電路，其中

所述第一場效應晶體管結構包括第一源電極結構，并且

所述第二場效應晶體管結構包括第二源電極結構，并且

第一和第二源電極結構被相互電分離。

3.根據權利要求2所述的集成電路，其中

所述第一場電極結構被電耦合到所述第一源電極結構。

4.根據權利要求2所述的集成電路，其中

所述第一源電極結構被電耦合到所述集成電路的第一源極端子。

5.根據權利要求2所述的集成電路，其中

所述第二源電極結構被電耦合到所述集成電路的第二源極端子。

6.根據權利要求1所述的集成電路，其中

所述第一場效應晶體管結構在所述集成電路的第一有源區中形成，并且

所述第二場效應晶體管結構在所述集成電路的第二有源區中形成，第一和第二有源區被兩個pn結或者隔離結構電分離。

7.根據權利要求1所述的集成電路，其中

所述區段被電耦合到所述集成電路的漏極端子。

8.根據權利要求1所述的集成電路，其中

第一和第二場效應晶體管結構是豎直溝槽晶體管結構。

9.根據權利要求1所述的集成電路，其中

所述第二柵電極結構是電浮動的。

10.根據權利要求1所述的集成電路，進一步包括

被電耦合到所述第二柵電極結構并且被配置為控制在所述第二柵電極結構處的電勢的第一驅動電路。

11.根據權利要求1所述的集成電路，進一步包括

被電耦合到所述第二場電極結構并且被配置為控制在所述第二場電極結構處的電勢的第二驅動電路。

12.根據權利要求1所述的集成電路，進一步包括：

被電耦合到所述第二柵電極結構并且被配置為控制在所述第二柵電極結構處的電勢的第一驅動電路；

被電耦合到所述第二場電極結構并且被配置為控制在所述第二場電極結構處的電勢的第二驅動電路；和

被配置為控制第一和第二驅動電路的邏輯電路。

13.根據權利要求1所述的集成電路，進一步包括

被電耦合到所述第二柵電極結構的第三驅動電路。

14.根據權利要求1所述的集成電路，進一步包括

被電耦合到所述第二場電極結構的第四驅動電路。

15.根據權利要求1所述的集成電路，其中

所述第一場效應晶體管結構包括鄰接半導體管芯的第一表面地形成的第一源極區域和在距所述第一源極區域一定距離處并且在所述第一源極區域的豎直投影中在所述半導體管芯內形成的第一漏極區段片段，并且

所述第二場效應晶體管結構包括鄰接所述半導體管芯的所述第一表面地形成的第二源極區域和在距所述第二源極區域一定距離處并且在所述第二源極區域的豎直投影中在所述半導體管芯內形成的第二漏極區段片段。

16.根據權利要求1所述的集成電路，其中

第一柵和場電極結構在從第一表面延伸到半導體管芯中的至少一個第一溝槽結構中形成，并且

第二柵和場電極結構在從所述第一表面延伸到所述半導體管芯中的至少一個第二溝槽結構中形成。

17.根據權利要求16所述的集成電路，其中

在第一和第二溝槽結構中的每一個中，在向所述第一表面定向的第一溝槽部分中形成分別的柵電極結構，并且分別的場電極結構的至少一個部分在向分別的溝槽結構的底部定向的第二溝槽部分中形成。