[發(fā)明專利]基于晶體管的高速D觸發(fā)器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310028043.6 | 申請日: | 2013-01-24 |
| 公開(公告)號: | CN103138715A | 公開(公告)日: | 2013-06-05 |
| 發(fā)明(設計)人: | 呂紅亮;劉一峰;張金燦;張義門;張玉明;周威 | 申請(專利權(quán))人: | 西安電子科技大學 |
| 主分類號: | H03K3/012 | 分類號: | H03K3/012;H03K3/02 |
| 代理公司: | 陜西電子工業(yè)專利中心 61205 | 代理人: | 王品華;朱紅星 |
| 地址: | 710071*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 晶體管 高速 觸發(fā)器 | ||
1.一種基于晶體管器件的高速D觸發(fā)器,包括第一鎖存器(1)、第二鎖存器(2)、預置電路(3)和電流源電路(4),所述預置電路(3)用于對外界輸入的預置信號進行信號采樣,從而實現(xiàn)預置功能;所述第二鎖存器(2)中的輸入端與第一鎖存器(1)的輸出端相連,第二鎖存器(2)的輸出端與預置電路(3)相連,電流源電路(4)與第一鎖存器(1)和第二鎖存器(2)相連;?
其特征在于:?
預置電路(3)由第五差分電路Q17,Q18構(gòu)成,該第五差分電路Q17,Q18的集電極分別與第二鎖存器(2)中的第二交叉耦合電路Q11,Q12的集電極相連,該第五差分電路Q17,Q18的發(fā)射極與第二鎖存器(2)的電流輸入端相連;?
電流源電路設為兩個,且第一電流源電路(4a)與第一鎖存器(1)的電流輸入端相連,為第一鎖存器(1)提供穩(wěn)定的電流,第二電流源電路(4b)與第二鎖存器(2)的電流輸入端相連,為第二鎖存器(2)提供穩(wěn)定的電流。?
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速D觸發(fā)器,其特征在于所述第一鎖存器(1)包括第一差分電路Q1,Q2、第二差分電路Q5,Q6和第一交叉耦合電路Q3,Q4,該第一差分電路Q1,Q2的集電極與第一交叉耦合電路Q3,Q4的集電極相連,第二差分電路中的Q5集電極與第一差分電路Q1,Q2的發(fā)射極相連,第二差分電路中的Q6集電極與第一交叉耦合電路Q3,Q4的發(fā)射極相連。?
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速D觸發(fā)器,其特征在于所述第二鎖存器(2)包括第三差分電路Q9,Q10、第四差分電路Q13,Q14和第二交叉耦合電路Q11,Q12,該第三差分電路Q9,Q10的集電極與第二交叉耦合電路Q11,Q12的集電極相連,第四差分電路中的Q13集電極與第三差分電路Q9,Q10的發(fā)射極相連,第四差分電路中Q14集電極與第二交叉耦合電路Q11,Q12的發(fā)射極相連。?
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速D觸發(fā)器,其特征在于第一電流源電路(4a)包括晶體管Q7、晶體管Q8以及電阻R5;晶體管Q7的基極與晶體管Q8的基極相連后與電阻R5相連,構(gòu)成第一鏡像電流源;晶體管Q8的集電極與第二差分電路Q5,Q6的發(fā)射極相連。?
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速D觸發(fā)器,其特征在于第二電流源電路(4b)包括晶體管Q15、晶體管Q16以及電阻R6;晶體管Q15的基極與晶體管Q16的基極相連后與電阻R6相連,構(gòu)成第二鏡像電流源;晶體管Q16的集電極與第四差分電路Q13,Q14的發(fā)射極相連。?
6.根據(jù)權(quán)利要求2或3或4或5所述的高速D觸發(fā)器,其特征在于所述第一鎖存器(1)、第二鎖存器(2)、預置電路(3)、第一電流源電路(4a)和第二電流源(4b)中的所有的晶體管,均采用異質(zhì)結(jié)雙極晶體管HBT。?
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