[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310027248.2
• 申請日: 2013-01-24
• 公開（公告）號: CN103972285B
• 公開（公告）日: 2019-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳意維;黃建中;劉國勝
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L29/423
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導(dǎo)體元件，包含有:

半導(dǎo)體基板，具有至少一柵極區(qū)域以及至少一鄰近于該柵極區(qū)域的源/漏極區(qū)域；

柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該半導(dǎo)體基板上的該柵極區(qū)域內(nèi)；

至少一外延層，設(shè)置于該半導(dǎo)體基板上的該源/漏極區(qū)域內(nèi)；

層間介電層，覆蓋住該半導(dǎo)體基板、該柵極結(jié)構(gòu)以及該外延層；

至少一接觸洞，穿透該層間介電層直至該外延層；

至少一金屬硅化物層，位于該接觸洞底部的該外延層上；以及

含氟層，設(shè)置于該金屬硅化物層周圍的該外延層上以及該金屬硅化物層底部，其中位于該金屬硅化物層周圍的該含氟層與位于該金屬硅化物層底部的該含氟層是不連續(xù)的且有一高度差。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該柵極結(jié)構(gòu)為一金屬柵極結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，其中該金屬柵極結(jié)構(gòu)還包含一金屬柵極以及至少一設(shè)置于該金屬柵極側(cè)壁的間隙壁。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體元件，其中該間隙壁具有一單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中位于該金屬硅化物層周圍的該含氟層的位置高于該金屬硅化物層底部。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該外延層的組成包含硅鍺、硅磷、硅碳或磷摻雜的硅碳。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該金屬硅化物層的組成包含硅化鎳、硅化鎳鉑、硅化鉑、硅化鈷或硅化鎢。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該接觸洞的截面為橢圓形、條狀或圓形。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該半導(dǎo)體元件為一鰭狀場效晶體管(finfield effect transistor,finFET)。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中位于該金屬硅化物層周圍的該含氟層圍繞該金屬硅化物層的側(cè)邊。

11.一種半導(dǎo)體元件的制作方法，包含有:

提供一半導(dǎo)體基板，具有至少一柵極區(qū)域以及至少一鄰近于該柵極區(qū)域的源/漏極區(qū)域；

形成至少一外延層，設(shè)置于該半導(dǎo)體基板上的該源/漏極區(qū)域內(nèi)；

于該外延層的一表面形成一含氟層；

在形成該含氟層之后，于該柵極區(qū)域內(nèi)形成一金屬柵極結(jié)構(gòu)；

形成一層間介電層，覆蓋住該半導(dǎo)體基板、該外延層以及該金屬柵極結(jié)構(gòu)；

形成至少一接觸洞于該層間介電層內(nèi)，其中該接觸洞穿透該層間介電層并暴露出該外延層；以及

形成至少一金屬硅化物層，位于該接觸洞底部的該外延層之上或之內(nèi)，其中該含氟層會位于該金屬硅化物層周圍的該外延層上以及該金屬硅化物層底部，其中位于該金屬硅化物層周圍的該含氟層與位于該金屬硅化物層底部的該含氟層是不連續(xù)的且有一高度差。

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中用以形成該含氟層的步驟包含一氟離子摻雜制作工藝。

13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中形成該含氟層的步驟包含:

形成一氧化層，順向性地覆蓋住該外延層；以及

施行一蝕刻制作工藝以移除該氧化層，其中該蝕刻制作工藝的一蝕刻劑包含一含氟分子。

14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中該蝕刻制作工藝可以移除全部或部分的該氧化層。

15.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中位于該金屬硅化物層周圍的該含氟層的位置高于該金屬硅化物層底部。